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1. (WO2000052743) PROCEDE D'AMELIORATION DE LA RESISTANCE A LA DEGRADATION DE CONDENSATEURS A FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052743    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/004506
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 23.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.09.2000    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3115 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83706-9632 (US)
Inventeurs : BASCERI, Cem; (US).
AL-SHAREEF, Husam, N.; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street, N.W., Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
09/259,259 01.03.1999 US
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING THE RESISTANCE DEGRADATION OF THIN FILM CAPACITORS
(FR) PROCEDE D'AMELIORATION DE LA RESISTANCE A LA DEGRADATION DE CONDENSATEURS A FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for ion implantation of high dielectric constant materials with dopants to reduce film leakage and improve resistance degradation is disclosed. Particularly, the invention relates to ion implantation of (Ba,Sr)TiO¿3? (BST) with donor dopants to reduce film leakage and improve resistance degradation of the BST film. The invention also relates to varying the ion implantation angle of the dopant to uniformly dope the high dielectric constant materials when they have been fabricated over a stepped structure. The invention also relates to integrated circuits having a doped thin film high dielectric material used as an insulating layer in a capacitor structure.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'implanter des matières constantes fortement diélectriques avec des dopants de manière à réduire les fuites d'un film et à améliorer la résistance à la dégradation. L'invention concerne plus particulièrement une implantation d'ions de (Ba,Sr)TiO3(BST) avec des dopants donneurs de manière à réduire les fuites d'un film et à améliorer la résistance à la dégradation du film BST. L'invention concerne aussi la modification de l'angle d'implantation d'ions du dopant pour doper de manière uniforme les matières constantes fortement diélectriques lorsqu'elles sont fabriquées sur une structure en gradins. L'invention concerne encore des circuits intégrés ayant une matière fortement diélectrique dopée à film mince utilisée comme couche isolante dans une structure de condensateur.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)