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1. (WO2000052730) SOURCE D'IONS DE METAUX LIQUIDES ET PROCEDE PERMETTANT DE MESURER SA RESISTANCE A L'ECOULEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052730    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/001010
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 22.02.2000
CIB :
H01J 27/22 (2006.01)
Déposants : SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP/JP]; 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku, Chiba-shi, Chiba 261-8507 (JP) (Tous Sauf US).
SUGIYAMA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OI, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGIYAMA, Yasuhiko; (JP).
OI, Masamichi; (JP)
Mandataire : HAYASHI, Keinosuke; 1493, Sendabori, Matsudo-shi, Chiba 270-2252 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/51110 26.02.1999 JP
Titre (EN) LIQUID METAL ION SOURCE AND METHOD FOR MEASURING FLOW IMPEDANCE OF LIQUID METAL ION SOURCE
(FR) SOURCE D'IONS DE METAUX LIQUIDES ET PROCEDE PERMETTANT DE MESURER SA RESISTANCE A L'ECOULEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Normal operation such as observation or etching can be carried out parallel with measurement of flow impedance without changing the emission current. Before the device is operated, the relationship between the emission current variation $g(D)Ie and the suppression voltage variation $g(D)Vsup in a state where the extraction voltage Vext is fixed is stored as a function $g(D)Ie=f($g(D)Vsup) in a storage unit (113). When the flow impedance is measured, the suppression voltage variation $g(D)Vsup of when the extraction voltage Vext is varied by $g(D)Vext in a state where the emitter current Ie is fixed. By using the voltage variations $g(D)Vext and $g(D)Vsup and the function retrieved from the storage unit, the flow impedance $g(D)Vext/$g(D)Ie is calculated.
(FR)Le fonctionnement normal tel que l'observation ou l'attaque chimique peut s'exécuter parallèlement à la mesure de la résistance à l'écoulement sans modifier l'intensité d'émission. Avant la mise en fonctionnement du dispositif, la relation entre l'écart d'intensité d'émission $g(D)Ie et l'écart de tension de suppression $g(D)Vsup est dans un état permettant de stocker la tension d'extraction Vext dans une unité de mémoire (113) sous la forme d'une fonction $g(D)Ie=f($g(D)Vsup). Pendant la mesure de la résistance à l'écoulement, l'écart de tension de suppression $g(D)Vsup correspondant à l'instant où la tension d'extraction Vext varie de $g(D)Vext dans un état où le courant Ie de l'émetteur reste fixe. Pour calculer la résistance à l'écoulement $g(D)Vext/$g(D)Ie, on utilise les écarts de tension $g(D)Vext et $g(D)Vsup ainsi que la fonction restituée depuis l'unité de mémoire.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)