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1. (WO2000052725) EMETTEUR D'ELECTRONS ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052725    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/000570
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 25.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.09.2000    
CIB :
H01J 1/304 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH [DE/DE]; Glienicker Strasse 100, D-14109 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
MERTESACKER, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PIETZAK, Björn [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WAIBLINGER, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEIDINGER, Alois [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MERTESACKER, Bernd; (DE).
PIETZAK, Björn; (DE).
WAIBLINGER, Markus; (DE).
WEIDINGER, Alois; (DE)
Données relatives à la priorité :
199 10 156.6 26.02.1999 DE
Titre (DE) ELEKTRONENEMITTER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) ELECTRON EMITTER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) EMETTEUR D'ELECTRONS ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Elektronenemitter weist in einer auf einem Substrat angeordneten isolierenden Schicht leitende zylinderförmige und senkrecht zur Oberfläche dieser Schicht angeordnete Bereiche auf. Diese Bereiche sind über die gesamte Dicke dieser Schicht in dieser gerade geformt und parallel zueinander ausgerichtet als homogen leitende Kanäle ausgebildet. Das Verfahren zur Herstellung eines solchen Elektronenemitters sieht vor, dass zunächst auf einem Substrat eine isolierende Schicht mit einer Dicke zwischen 40 nm und 1000 nm aufgebracht wird und anschließend diese Schicht senkrecht zu ihrer Oberfläche mit energiereichen schweren Ionen homogen bestrahlt wird, wobei die Ionen eine solche Energie aufweisen, die eine für eine Umstrukturierung der isolierenden Schicht hinreichend hohe Energiedeposition über die gesamte Dicke dieser Schicht gewährleistet, und die Ionen eine Dosis aufweisen, bei der der mittlere Abstand der statistisch in die isolierende Schicht einschlagenden Ionen zwischen 20 nm und 1000 nm liegt.
(EN)The invention relates to an electron emitter that is provided with conductive cylindrical areas which are located in an insulating layer that is arranged on a substrate. Said areas are arranged vertically in relation to the surface of the layer, are evenly formed over the entire thickness of the layer, are parallel to each other and are configured as homogeneously conducting channels. According to the method for producing such an electron emitter, an insulating layer having a thickness of 40 nm and 1,000 nm is mounted on a substrate. Said layer is then exposed to homogeneous radiation of heavy ions vertically in relation to the surface of the layer. The ions are provided with high energy that guarantees a sufficiently high energy deposition for restructuring the insulating layer over the entire thickness thereof. The ions are provided with a dose with a mean distance of the ions which statistically strike into the insulating layer. Said distance is between 20 nm and 1,000 nm.
(FR)L'invention concerne un émetteur d'électrons présentant une couche isolante qui abrite des zones conductrices en forme de cylindres disposées perpendiculairement à la surface de cette couche. Sur toute l'épaisseur de la couche, ces zones sont droites, parallèles et se présentent sous forme de canaux conducteurs homogènes. Le procédé de production d'un tel émetteur d'électrons consiste à appliquer sur un substrat une couche isolante d'une épaisseur de 40 nm à 1000 nm puis à exposer cette couche de façon homogène à des ions lourds riches en énergie perpendiculairement à sa surface. Les ions ont une énergie qui garantit un dépôt d'énergie suffisamment élevé sur toute l'épaisseur de la couche isolante pour permettre la restructuration de cette couche. La dose d'ions est telle que la distance moyenne séparant les ions pénétrant statistiquement dans la couche isolante est comprise entre 20 nm et 1000 nm.
États désignés : CA, CN, IL, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)