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1. (WO2000052698) CAPTEUR INDUCTIF A DOUBLE CONDUCTEUR DESTINE A UNE MEMOIRE VIVE NON-VOLATILE FERROMAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052698    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/005698
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 02.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2000    
CIB :
G01R 33/028 (2006.01), G11C 11/14 (2006.01)
Déposants : PAGEANT TECHNOLOGIES (USA), INC. [US/US]; Suite B, 3205 Richard's Lane, Santa Fe, NM 87505 (US).
ESTANCIA LIMITED [--/--]; P.M.B. 2, Caribbean Place, Providenciales, British West Indies (TC)
Inventeurs : LIENAU, Richard, M.; (US)
Mandataire : STARKWEATHER, Michael, W.; Thorpe, North & Western, LLP, P.O. Box 1219, Sandy, UT 84091-1219 (US)
Données relatives à la priorité :
60/122,822 04.03.1999 US
09/516,453 29.02.2000 US
Titre (EN) DUAL CONDUCTOR INDUCTIVE SENSOR FOR A NON-VOLATILE RANDOM ACCESS FERROMAGNETIC MEMORY
(FR) CAPTEUR INDUCTIF A DOUBLE CONDUCTEUR DESTINE A UNE MEMOIRE VIVE NON-VOLATILE FERROMAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile ferromagnetic RAM device which is capable of reading the data stored in each magnet quickly and efficiently utilizing a minimal number of components. Specifically there is a non-volatile ferromagnetic RAM which is capable of reading the data stored in each magnetic bit. The ferromagnetic memory cell is comprised of a base (19) that is oriented in a horizontal plane. There is also a bit (3), made of a ferromagnetic material, having: a height that is oriented perpendicular to the horizontal plane of the base, and a polarity that can be directed along the height. Additionally, there is a sense line (1), positioned proximate the bit (3) sufficient to detect the directed polarity of the bit; and a write line (2), positioned proximate the bit sufficient to direct the polarity of the bit. Additionally, there is a detector, coupled to the sense line; and a sample drive line (14), positioned proximate the bit (3) to transmit an electric pulse that will increase the directed polarity of the bit sufficient to induce a wave into the sense line that can be detected by the detector.
(FR)L'invention concerne une mémoire vive non-volatile ferromagnétique capable de lire rapidement et de façon efficace les données stockées dans chaque aimant en utilisant un nombre minimum de composants. En particulier, l'invention porte sur une mémoire vive non-volatile ferromagnétique capable de lire les données stockées dans chaque point mémoire magnétique. La cellule de mémoire ferromagnétique, consiste en une base (19) orientée dans un plan horizontal. Elle comprend également un point mémoire (3) fabriqué à partir d'un matériau ferromagnétique présentant : une hauteur orientée perpendiculairement au plan horizontal de la base, et une polarité pouvant être dirigée dans le sens de la hauteur. En outre, cette cellule de mémoire comprend une ligne de lecture (1) placée suffisamment à proximité du point mémoire (3) pour détecter la polarité orientée de celui-ci; et une ligne d'écriture (2), placée suffisamment à proximité du point mémoire pour orienter la polarité dudit point mémoire. De plus, cette cellule de mémoire comprend un détecteur, couplé à la ligne de lecture ; et une ligne de commande d'échantillonnage (14), placée à proximité du point mémoire (3) pour transmettre une impulsion électrique qui augmente suffisamment la polarité imposée du point mémoire pour produire une onde dans la ligne de lecture pouvant être détectée par le détecteur.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)