WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000052697) CAPTEUR A MAGNETORESISTANCE EQUIPE DE COLLECTEURS DIFFERENTIELS POUR MEMOIRE VIVE FERROMAGNETIQUE NON-VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052697    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/005690
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 02.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2000    
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : PAGEANT TECHNOLOGIES (USA), INC. [US/US]; Suite B, 3205 Richard's Lane, Sante Fe, NM 87505 (US).
ESTANCIA LIMITED [--/--]; P.M.B. 2, Caribbean Place, Providenciales, British West Indies (TC)
Inventeurs : LIENAU, Richard, M.; (US)
Mandataire : STARKWEATHER, Michael, W.; Jones, Waldo, Holbrook & McDonough, Suite 1500, 170 South Main Street, Salt Lake City, UT 84101 (US)
Données relatives à la priorité :
60/121,901 04.03.1999 US
09/516,175 29.02.2000 US
Titre (EN) MAGNETO RESISTOR SENSOR WITH DIFFERENTIAL COLLECTORS FOR A NON-VOLATILE RANDOM ACCESS FERROMAGNETIC MEMORY
(FR) CAPTEUR A MAGNETORESISTANCE EQUIPE DE COLLECTEURS DIFFERENTIELS POUR MEMOIRE VIVE FERROMAGNETIQUE NON-VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile RAM device is disclosed which utilizes a plurality of ferromagnetic bits (6) each surrounded by a coil of a write line (13) for directing the remnant polarity thereof is disclosed. The direction of magnetic remnance in each bit (6) is dictated by the direction of a current induced into write line (13). Further, a magneto sensor (7) comprising a magneto resistor (1) coupled to a pair of collectors (2a and 2b) is placed approximate each bit (6). The magneto resistor (1) is coupled to a control circuit (30) for receiving current. The current passing across magneto resistor (1) is biased in a direction either right or left of the original current flow direction. The collectors are coupled to a pair of sense lines (4a and 4b), which are in turn, coupled to a voltage differential amplifier (12). The collector in the direction of biased current flow, will receive a greater number of electrons than the other collector, and therefore have a greater negative charge. This voltage differential is conducted through the sense lines (4a and 4b) to the voltage differential amplifier (12), where it is amplified and detected.
(FR)L'invention concerne une mémoire vive non-volatile exploitant un ensemble de bits ferromagnétiques (6) chacun de ces bits étant entouré d'une bobine de ligne d'écriture (13) servant à diriger la polarité restante. La direction de la rémanence magnétique dans chaque bit (6) est déterminée par celle d'un courant induit dans une ligne d'écriture (13). D'autre part, un capteur à magnéto (7) comprenant une magnétorésistance (1) relié à deux collecteurs (2a et 2b) est placé à proximité de chaque bit (6). La magnétorésistance (1) est polarisée soit à droite, soit à gauche de la direction initiale de la circulation du courant. Les collecteurs sont reliés à deux fils de lecture (4a et 4b) qui sont, à leur tour, reliés à un amplificateur (12) différentiel de tension. Le collecteur placé dans la direction du flux de courant polarisé, reçoit un plus grand nombre d'électrons que l'autre collecteur, présentant ainsi une plus grande charge négative. Cette différence de tension est transmise par les fils de lecture (4a et 4b) vers l'amplificateur (12) différentiel de tension, où il est amplifié et détecté.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)