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1. (WO2000052489) CAPTEUR MAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, DISPOSITIF DE LIAISON A TUNNEL FERROMAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, TETE MAGNETIQUE COMPORTANT CES ORGANES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052489    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/000351
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 25.01.2000
CIB :
G01R 33/06 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Masashige [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIKUCHI, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Masashige; (JP).
KIKUCHI, Hideyuki; (JP).
KOBAYASHI, Kazuo; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Takashi; A. Aoki, Ishida & Associates, Toranomon 37 Mori Building, 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/53020 01.03.1999 JP
11/53974 02.03.1999 JP
Titre (EN) MAGNETIC SENSOR AND ITS PRODUCTION METHOD, FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME
(FR) CAPTEUR MAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, DISPOSITIF DE LIAISON A TUNNEL FERROMAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, TETE MAGNETIQUE COMPORTANT CES ORGANES
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic sensor comprises (1) a support base, (2) a ferromagnetic tunnel junction device having a first magnetic layer on the support base, a tunnel insulating layer containing aluminum oxide, formed on the first magnetic layer by sputtering an aluminum target containing aluminum of 99.999% purity and oxidizing the aluminum film formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer formed on the tunnel insulating layer, and (3) a transducer for transducing a change of magnetic field to a change of resistance. The ferromagnetic tunnel junction device (2) can be alternatively a device in which the tunnel junction has an asymmetric voltage-resistance characteristic with respect to the direction in which voltage is applied. The insulating layer of the asymmetric voltage-resistance characteristic is formed by heat-treating an insulating layer material film, varying the partial pressure of oxygen in the atmosphere where an oxide insulating layer is formed, and using two or more film-forming target materials and a moving base.
(FR)Cette invention concerne un capteur magnétique comprenant une base-support (1), un dispositif de liaison à tunnel ferromagnétique (2) comportant une première couche magnétique sur la base-support, une couche isolante de tunnel renfermant un oxyde d'aluminium et formée sur la première couche magnétique par vaporisation d'aluminium pur à 99,999 % et oxydation de la pellicule d'aluminium formée sur la première couche magnétique, une seconde couche magnétique formée sur la couche isolante du tunnel et (3) un transducteur permettant de convertir un changement de champ magnétique en un changement de résistance. En variante, le dispositif de liaison à tunnel ferromagnétique peut posséder une caractéristique de tension-résistance asymétrique par rapport au sens d'application de la tension. Dans ce cas, la couche isolante s'obtient en soumettant une pellicule de matériau isolant à un traitement thermique, en faisant varier la pression partielle d'oxygène dans l'atmosphère, là où se forme une couche isolante d'oxyde, et en utilisant au moins deux matériaux cibles filmogènes et une base mobile.
États désignés : CN, DE, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)