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1. (WO2000052235) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052235    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/001037
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 23.02.2000
CIB :
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/30 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIZUKA, Tohru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAHARA, Yuuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUSEGAWA, Izumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHTA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIZUKA, Tohru; (JP).
MIYAHARA, Yuuichi; (JP).
FUSEGAWA, Izumi; (JP).
OHTA, Tomohiko; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
11/51782 26.02.1999 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a silicon single crystal which comprises growing a single crystal through pulling it up according to a type of Czochralsky method wherein magnetic field is applied, characterized in that one quartz crucible is used for a period of 100 hr or more for the production of silicon single crystals and the magnetic field strength of the horizontal component in a horizontal magnetic field distribution or cnsp type magnetic field distribution being applied is 500 Gauss or more at a position where the surface of a silicon melt and the side wall of a quartz crucible cross perpendicularly. The method leads to the inhibition of the deterioration of the inner surface of the crucible and thus to the increase of the operating life of the crucible to thereby prevent a single crystal from having a dislocation which is usually generated with the deterioration of a crucible, which results in the decrease of the number of crucible required per single crystal rod to be pulled and also the reduction of the time required for the exchange of crucibles. Accordingly, the method can be used for improving yield and productivity in the production of silicon single crystals and thus provides a method for producing a high quality products commercially at a low cost.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un monocristal de silicium comprenant la croissance d'un monocristal par tirage Czochralsky dans lequel on applique un champ magnétique, caractérisé en ce qu'on utilise un creuset en quartz pour une durée d'au moins 100 heures pour la production de monocristaux de silicium et la force du champ magnétique de la composante horizontale dans une distribution horizontale du champ magnétique ou une distribution du champ magnétique du type cnsp étant appliquée est d'au moins 500 Gauss à une position dans laquelle la surface du bain de silicium et la paroi latérale du creuset en quartz se croisent perpendiculairement. Le procédé permet d'inhiber la détérioration de la surface intérieure du creuset permettant ainsi d'accroître la durée de fonctionnement du creuset empêchant ainsi un monocristal de subir une dislocation qui est généralement provoquée par la détérioration du creuset, et ceci à pour conséquence la réduction du nombre de creusets requis par tige de monocristal à tirer ainsi que la réduction du temps requis pour changer de creuset. Ainsi, le procédé peut être utilisé pour améliorer le rendement et la productivité dans la production de monocristaux de silicium, permettant un procédé de production commerciale de produits de haute qualité à des coûts économiques.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)