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1. (WO2000052233) APPAREIL DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/052233    N° de la demande internationale :    PCT/IL2000/000120
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 28.02.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2000    
CIB :
C30B 15/12 (2006.01), C30B 15/14 (2006.01)
Déposants : SOLMECS (ISRAEL) LTD. [IL/IL]; Omer Industrial Park, P.O. Box 3026, 84965 Omer (IL) (Tous Sauf US).
GELFGAT, Yuri [LV/LV]; (LV) (US Seulement).
BRANOVER, Herman [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
LESIN, Shaul [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
TSIRLIN, Mark [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : GELFGAT, Yuri; (LV).
BRANOVER, Herman; (IL).
LESIN, Shaul; (IL).
TSIRLIN, Mark; (IL)
Mandataire : WOLFF, BREGMAN AND GOLLER; P.O. Box 1352, 91013 Jerusalem (IL)
Données relatives à la priorité :
128827 04.03.1999 IL
Titre (EN) APPARATUS FOR GROWING SINGLE CRYSTALS
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides apparatus for single crystal growth, including a chamber housing a heatable crucible having a bottom wall and side walls and being rotatable about an axis, means for feeding raw material into the crucible, and further including a seed crystal mounted on a movable rod along the axis, the apparatus including an annular heater disposed in the crucible about the axis and above the bottom wall so as to leave a gap between them for melted crystal material flow from a first heating zone defined by the inner surface of the side walls, the outer surface of the annular heater and the peripheral area of the bottom wall, and a second heating zone defined by the inner surface of the annular heater and the central area of the bottom wall.
(FR)La présente invention concerne un appareil destiné à la croissance de monocristaux, comprenant une enceinte renfermant un creuset, doté de parois latérales et de fond, qu'il est possible de chauffer et de mettre en rotation autour d'un axe, des moyens d'introduction de matière première dans le creuset et un cristal germe monté sur une tige amovible placée selon l'axe. L'appareil comprend aussi un chauffage annulaire disposé dans le creuset autour de l'axe et au dessus de la paroi de fond de manière à laisser un espace entre eux pour que le flux de cristaux fondus passe d'une première zone de chauffage définie par la surface intérieure des parois latérales, la surface extérieure du chauffage annulaire et la zone périphérique de la paroi de fonds, à une seconde zone définie par la surface intérieure du chauffage annulaire et la zone centrale de la paroi de fond.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)