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1. (WO2000051732) MODIFICATION DE SURFACE DE SUPPORTS SOLIDES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE DECOMPOSITION THERMIQUE ET D'UNE FONCTIONNALISATION DES SILANES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/051732    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/005515
Date de publication : 08.09.2000 Date de dépôt international : 02.03.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.10.2000    
CIB :
B01J 15/00 (2006.01), B01J 20/10 (2006.01), B01J 31/02 (2006.01), B32B 5/02 (2006.01), B32B 9/04 (2006.01), C08L 83/05 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01)
Déposants : RESTEK CORPORATION [US/US]; 110 Benner Circle, Bellefonte, PA 16823-8812 (US) (Tous Sauf US).
SMITH, David, Abbott [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, David, Abbott; (US)
Mandataire : KONIECZNY, Joseph, M.; Harding, Earley, Follmer & Frailey, 86 The Commons At Valley Forge East, 1288 Valley Forge Road, P.O. Box 750, Valley Forge, PA 19482-0750 (US)
Données relatives à la priorité :
60/122,990 05.03.1999 US
09/388,868 02.09.1999 US
Titre (EN) THE SURFACE MODIFICATION OF SOLID SUPPORTS THROUGH THE THERMAL DECOMPOSITION AND FUNCTIONALIZATION OF SILANES
(FR) MODIFICATION DE SURFACE DE SUPPORTS SOLIDES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE DECOMPOSITION THERMIQUE ET D'UNE FONCTIONNALISATION DES SILANES
Abrégé : front page image
(EN)A process of modifiying a solid's surface, comprising a first step of depositing hydrogenated armophous silicon on the surface by thermal decomposition at an elevated temperature of silicon hydride gas to form silane radicals which recombine to coat the surface with hydrogenated armophous silicon. A second step of surface funtionalization of the hydrogenated armophous silicon in the presence of a binding agent including hydrosilylation, disproportionation and radical quenching.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de modifier une surface de solide, qui consiste d'abord à déposer une couche de silicium amorphe hydrogéné sur la surface d'un support solide par l'intermédiaire de la décomposition thermique d'un gaz de silicium hybride, à une température élevée, afin de former des radicaux de silane qui se recombinent de façon à revêtir ladite surface avec du silicium amorphe hydrogéné; puis à fonctionnaliser la surface de la couche de silicium amorphe hydrogéné par exposition à agent de liaison notamment par l'intermédiaire de l'hydrosilylation, la dismutation, et la désactivation de radicaux libres.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)