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1. WO2000036193 - STRUCTURE EN DIAMANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2000/036193
Date de publication 22.06.2000
N° de la demande internationale PCT/JP1999/007057
Date du dépôt international 16.12.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.07.2000
CIB
H01L 23/373 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
CPC
H01L 23/3732
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3732Diamonds
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • TOYO KOHAN CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • OKADA, Mitsuharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • TANGA, Michifumi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • OKADA, Mitsuharu
  • TANGA, Michifumi
Mandataires
  • OHTA, Akio
Données relatives à la priorité
10/35778416.12.1998JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DIAMOND STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) STRUCTURE EN DIAMANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A method is provided for efficiently producing diamond structures having upper and lower sides exhibiting improved insulation. According to this method, a diamond substrate is covered with a metalized layer alone or together with an adhesive layer, covered further with a BN protective coating, and cut into pieces by a laser beam. They are then oxidized in an oxygen atmosphere, for example, using an ECR plasma technique to remove the conductive, modified layer formed on the cuts, and immersed in water to remove the BN protective coating.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production efficace de structure en diamant ayant des faces supérieures et inférieures présentant une meilleure isolation. Selon ce procédé, une structure en diamant est recouverte d'une couche métallisée seule ou accompagnée d'une couche adhésive, également recouverte d'un revêtement protecteur NB, et découpée en pièces par un faisceau laser. Elles sont ensuite oxydées dans une atmosphère d'oxygène, par exemple, à l'aide d'une technique à plasma ECR afin d'éliminer la couche conductrice modifiée formée sur les découpes, et immergées dans de l'eau pour éliminer le revêtement protecteur NB.
Également publié en tant que
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