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1. WO2000031778 - BOBINE D'INDUCTANCE INTEGREE ET PROCEDE DE FABRICATION DE BOBINES D'INDUCTANCE INTEGREES DE HAUTE QUALITE

Numéro de publication WO/2000/031778
Date de publication 02.06.2000
N° de la demande internationale PCT/DE1999/003693
Date du dépôt international 17.11.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.06.2000
CIB
H01F 17/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
17Inductances fixes du type pour signaux
H01F 41/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
02pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
04pour la fabrication de bobines
10Raccord des connexions aux enroulements
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
CPC
H01F 17/0006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
17Fixed inductances of the signal type
0006Printed inductances
H01F 41/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
41Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
02for manufacturing cores, coils, or magnets
04for manufacturing coils
10Connecting leads to windings
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
H01L 28/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
10Inductors
Déposants
  • IHP GMBH INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTORNICS INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • METHFESSEL, Michael [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ERZGRÄBER, Heide [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • METHFESSEL, Michael
  • ERZGRÄBER, Heide
Mandataires
  • HEITSCH, Wolfgang
Données relatives à la priorité
198 55 008.120.11.1998DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) INTEGRIERTE INDUKTIVITÄT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER INDUKTIVITÄTEN MIT HOHER GÜTE
(EN) INTEGRATED INDUCTIVE RESISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A HIGH QUALITY INTEGRATED INDUCTIVE RESISTOR
(FR) BOBINE D'INDUCTANCE INTEGREE ET PROCEDE DE FABRICATION DE BOBINES D'INDUCTANCE INTEGREES DE HAUTE QUALITE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Induktivität und ein Verfahren zur Herstellung integrierter Induktivitäten mit hoher Güte. Aufgabe der Erfindung ist es, eine integrierte Induktivität und ein Verfahren zur Herstellung integrierter Induktivitäten mit hoher Güte vorzuschlagen, bei dem die Substratverluste verringert werden. Erfindungsgemäß wird der Nachteil der geringen Güte von planar auf ein isoliertes Halbleitersubstrat mit isolierender Schutzschicht aufgebrachten Induktivitäten dadurch beseitigt, daß eine Spirale oder Spulenwindung mit erhöhtem Abstand zum Substrat realisiert wird und die Substratverluste hierdurch weitgehend reduziert werden. Dies wird dadurch erreicht, daß die elektrischen Zuleitungen der Induktivität durch das Übereinanderlegen zweier verschiedener Materialien als Bimetallstreifen so hergestellt werden, daß sich die Spirale nach Abkühlung von dem Substrat mit der isolierenden Schutzschicht abhebt.
(EN)
The invention relates to an integrated inductive resistor and a method for producing a high quality integrated inductive resistor. The aim of the invention is to provide an integrated inductive resistor and a method for high quality integrated inductive resistors, whereby said method should result in reduced substrate losses. According to the invention, the disadvantage of low quality inductive resistors applied in a planar manner onto an isolated semiconductor substrate with an isolating layer is eliminated by creating a spiral or coil winding at an increased distance from the substrate and by thus substantially reducing the substrate losses. This is achieved by producing the electrical connections of the inductive resistor by placing two different materials as bimetal strips on top of each other in such a way that the spiral rises above the substrate with the isolating layer after cooling.
(FR)
Bobine d'inductance intégrée et procédé de fabrication de bobines d'inductance intégrées de haute qualité, dans lesquelles les pertes de substrats sont réduites. Selon la présente invention, l'inconvénient de la faible qualité de bobines d'inductances déposées de manière plane sur un substrat semi-conducteur isolé à couche protectrice isolante est éliminé par le fait qu'une spirale ou une bobine est réalisée avec un écart accru par rapport au substrat et que les pertes de substrat s'en trouvent largement réduites. A cet effet, les lignes d'amenée électriques de la bobine d'inductance sont fabriquées par la superposition de deux matières différentes en tant que bande bimétallique de manière telle qu'une fois refroidie, la spirale se soulève du substrat avec la couche protectrice isolante.
Également publié en tant que
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