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1. (WO2000017938) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2000/017938    International Application No.:    PCT/EP1999/006642
Publication Date: 30 mars 2000 International Filing Date: 8 sept. 1999
IPC: H01L 21/761
H01L 29/10
H01L 29/78
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
Inventors: LUDIKHUIZE, Adrianus, W.
Title: DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
Dans des applications importantes de circuits comprenant des transistors de type MOS à double diffusion latérale tels que des (demi) ponts, la tension en sortie peut monter ou baisser par rapport à la tension d'alimentation ou terre dans le cas d'une charge inductive. L'injection de porteurs de charge dans le substrat peut être évitée par le filtrage du drain (18) du transistor côté basse tension à partir du substrat au moyen d'une couche (13) enterrée de type p et d'une couche (14) enterrée de type n se trouvant sous la couche enterrée de type p. Pour éviter l'action npn parasite entre la couche (14) enterrée de type n et le drain (18) de type n, les régions (16a, 16b) de grille de base au bord du transistor ainsi que les régions (16b) de grille de base au centre du transistor sont reliées à la couche enterrée de type p au moyen d'un puits de type p, par exemple. En conséquence, dans toute la couche enterrée relativement à haute valeur ohmique, le potentiel est bien défini de façon à éviter l'action npn.