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1. (WO2000017934) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/017934    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/003073
Date de publication : 30.03.2000 Date de dépôt international : 20.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.04.2000    
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : IHP GMBH INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE/DE]; Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder) (DE) (Tous Sauf US).
DREWS, Jürgen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TILLACK, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HEINEMANN, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KNOLL, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : DREWS, Jürgen; (DE).
TILLACK, Bernd; (DE).
HEINEMANN, Bernd; (DE).
KNOLL, Dieter; (DE)
Mandataire : HEITSCH, Wolfgang; Göhlsdorfer Strasse 25g, D-14778 Jeserig (DE)
Données relatives à la priorité :
198 45 789.8 21.09.1998 DE
Titre (DE) BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf einen Bipolartransistor sowie auf ein Verfahren zu seiner Herstellung. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Bipolartransistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorzuschlagen, bei dem für eine Einfach-Poly-Silizium-Technologie mit differentieller Epitaxie zur Basisherstellung die beschriebenen Nachteile konventioneller Anordnungen überwunden werden, um insbesondere die Hochgeschwindigkeitseigenschaften eines Bipolartransistors weiter zu verbessern, möglichst leitfähige Verbindungen zwischen den Metallkontakten und der aktiven (inneren) Transistorregion als auch eine minimierte passive Transistorfläche herzustellen, gleichzeitig zusätzliche Prozeßkomplexität und erhöhte Kontaktwiderstände zu vermeiden. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die naßchemische Erzeugung eines Oberflächenreliefs im aktiven Emitterbereich gelöst. Ein Einfach-Poly-Silizium-Bipolartransistor mit epitaktisch hergestellter Basis gemäß der Erfindung erlaubt eine Reduktion der externen Basiswiderstände, ohne eine Verschlechterung der Emittereigenschaften in Kauf nehmen zu müssen. Bedingt durch die unterbrechungsfreie Abscheidung von innerem und äußerem Basisgebiet treten keine Grenzflächenprobleme beim Basisanschluß auf. Außerdem kann die Basis-Kollektor-Kapazität gesenkt werden.
(EN)The invention relates to a bipolar transistor and a method for producing same. The aim of the invention is to provide a bipolar transistor and a method for producing same, which during the use of a single-process poly-silicon technology with differential epitaxis for the production of bases overcomes the disadvantages of conventional systems, so as notably further to improve the high-speed properties of a bipolar transistor, provide the most conductive connections possible between the metal contacts and the active (internal) transistor region as well as a minimized passive transistor surface, while at the same time avoiding greater process complexity and increased contact resistances. To this end a surface relief is produced in the active emitter region by a wet-chemical process. A single-process poly-silicon bipolar transistor having a base produced by epitaxis in accordance with the invention permits a reduction in external base resistance without causing a deterioration in emitter properties. Because the internal and external base regions are deposited continuously no interface problems arise during connection of the base. Base-collector capacity can also be lowered.
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire et son procédé de fabrication. L'invention a pour but de fournir un transistor bipolaire ainsi qu'un procédé pour sa fabrication, dans lequel, lorsqu'on a recours à une technologie poly-silicium unique à épitaxie différentielle pour la fabrication de la base, les inconvénients des dispositifs conventionnels sont surmontés, notamment en vue d'améliorer les propriétés de vitesse élevée d'un transistor bipolaire, de réaliser des connexions aussi bonnes conductrices que possible entre les contacts métalliques et la région active (interne) du transistor, ainsi qu'une surface passive de transistor minimisée, sans compliquer pour autant le procédé et tout en évitant d'avoir des résistances de contact élevées. Conformément à l'invention, ce but est atteint en produisant chimiquement, par voie humide, un relief de surface dans la région active de l'émetteur. Un transistor bipolaire au poly-silicium unique à base épitaxiée selon l'invention permet d'obtenir une réduction des résistances de base externes, sans qu'intervienne une quelconque altération des propriétés émettrices. Du fait du dépôt, exempt d'interruption, de la région interne et externe, il ne se présente aucun problème d'interface lors de la jonction de la base. En outre, la capacité base-collecteur peut être réduite.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)