WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000017931) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES REGIONS DE FORMATION DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/017931    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/002732
Date de publication : 30.03.2000 Date de dépôt international : 01.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.02.2000    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
BRUNNER, Heinrich [AT/DE]; (DE) (US Seulement).
TIHANYI, Jenö [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
AUERBACH, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BRUNNER, Heinrich; (DE).
TIHANYI, Jenö; (DE).
AUERBACH, Franz; (DE)
Mandataire : WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Mozartstrasse 8, D-80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
198 43 659.9 23.09.1998 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT FELDFORMUNGSGEBIETEN
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH FIELD-FORMING AREAS
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES REGIONS DE FORMATION DE CHAMP
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, in den wenigstens eine Zone (4) des zweiten Leitungstyps eingebettet ist. Die Zone (4) ist im Abstand von Gebieten (7) des zweiten Leitungstyps wannenartig umgeben, wobei diese Gebiete (7) an wenigstens einer Stelle durch einen Kanal (8) des Halbleiterkörpers (1) unterbrochen und so hoch dotiert sind, daß sie im Sperrfall nicht ausgeräumt werden.
(EN)The present invention relates to a semiconductor element with a semiconductor body (1) that has one type of conductivity and in which at least one area (4) with a second type of conductivity is embedded. Said area (4) is surrounded at a distance and in atrough-like manner by other regions (7) that have a second type of conductivity. Said regions (6) are interrupted in at least one place by a channel (8) pertaining to the semiconductor body (1) and are so highly doped that they are not emptied out when a blockage occurs.
(FR)La présente invention concerne un composant à semi-conducteur comportant un corps semi-conducteur (1) d'un type de conduction, dans lequel est incorporée au moins une zone (4) du second type de conduction. Cette zone (4) est entourée, à la façon d'une cuvette et à une certaine distance, de régions (7) du second type de conduction, ces régions (7) étant, en au moins un point, interrompues par un canal (8) du corps semi-conducteur (1) et si fortement dopées qu'en cas de blocage elles ne sont pas enlevées.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)