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1. (WO2000017915) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR DONT LA SURFACE COMPORTE UNE BOBINE A NOYAU MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/017915    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/006635
Date de publication : 30.03.2000 Date de dépôt international : 08.09.1999
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 23/64 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : WEBSTER, Marian, N.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
98203103.1 17.09.1998 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR BODY HAVING A SURFACE PROVIDED WITH A COIL HAVING A MAGNETIC CORE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR DONT LA SURFACE COMPORTE UNE BOBINE A NOYAU MAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor body (1) having a coil (3) with a magnetic core (4). By means of this method, the surface is provided with a first metallization layer (5) having a first pattern of conduction tracks (6) which are embedded in an insulating material (7, 8, 9). A layer of a magnetic material is provided on the surface (10), which faces away from the semiconductor body. A magnetic core is formed in said layer by means of etching. On the magnetic core and on the adjoining surface of the first metallization layer, a second metallization layer (11) with a second pattern of embedded conduction tracks is formed in an insulating material (13, 14). The second pattern is connected to the first pattern in such a way that windings of the coil are formed. The first metallization layer is formed on the surface of the semiconductor body in such a manner that the surface of the metallization layer facing away from the semiconductor body is planar. The layer of magnetic material having a thickness below 50 nm is subsequently provided. The method in accordance with the invention enables coils to be manufactured which exhibit a relatively high self-induction when used at frequencies above 100 MHz.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant un corps (1) dont la bobine (3) est pourvue d'un noyau (4) magnétique. Grâce à ce procédé, la surface est pourvue d'une première couche (5) de métallisation sur laquelle est formée une première configuration de voies (6) de conduction qui sont encastrées dans un matériau (7, 8, 9) isolant. Une couche d'un matériau magnétique est ménagée sur la surface (10) qui est opposée au corps semi-conducteur. Un noyau magnétique est formé dans cette couche par attaque chimique. Sur le noyau magnétique et sur la surface adjacente de la première couche de métallisation, une seconde couche (11) constituée d'une seconde configuration de voies de conduction encastrées est formée dans un matériau isolant (13, 14). La seconde configuration est reliée à la première de façon à former les enroulements de la bobine. La première couche de métallisation est formée sur la surface du corps semi-conducteur de sorte que la surface de la couche de métallisation opposée au corps semi-conducteur soit plane. La couche de matériau magnétique ensuite obtenue a une épaisseur inférieure à 50 nm. Ce procédé permet de fabriquer des bobines présentant une auto-induction relativement élevée lorsqu'elles sont utilisées à des fréquences supérieures à 100 MHz.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)