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1. (WO2000017666) ELEMENT DETECTEUR MAGNETORESISTIF, NOTAMMENT ELEMENT DE DETECTION ANGULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/017666    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/001013
Date de publication : 30.03.2000 Date de dépôt international : 03.04.1999
CIB :
G01B 7/30 (2006.01), G01D 5/16 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
MARX, Klaus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JOST, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FREITAG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MARX, Klaus; (DE).
JOST, Franz; (DE).
FREITAG, Martin; (DE)
Données relatives à la priorité :
198 43 349.2 22.09.1998 DE
Titre (DE) MAGNETORESISTIVES SENSORELEMENT, INSBESONDERE WINKELSENSORELEMENT
(EN) MAGNETORESISTIVE SENSOR ELEMENT, ESPECIALLY ANGULAR SENSOR ELEMENT
(FR) ELEMENT DETECTEUR MAGNETORESISTIF, NOTAMMENT ELEMENT DE DETECTION ANGULAIRE
Abrégé : front page image
(DE)Magnetoresistives Sensorelement, insbesondere Winkelsensorelement, mit einer ersten, magnetischen Schicht (1), deren Magnetisierungsrichtung eine Referenzrichtung darstellt, einer auf der ersten Schicht (1) ausgebildeten zweiten, nichtmagnetischen Schicht (2), und einer dritten, auf der zweiten Schicht ausgebildeten magnetischen Schicht (3), deren Magnetisierungsrichtung durch ein äußeres Magnetfeld beeinflußbar ist, wobei die dritte Schicht (3) wenigstens teilweise in Form von einzelnen Segmenten (3a) ausgebildet ist.
(EN)The invention relates to a magnetoresistive sensor element, especially an angular sensor element, having a first magnetic layer (1) whose magnetization direction represents a direction reference, a second non magnetic layer (2) formed on the first layer (1) and a third magnetic layer (3) formed on the second layer, the magnetization direction of said third layer being influenced by an external magnetic field, wherein the third layer (3) is at least partially embodied as individual segments (3a).
(FR)L'invention concerne un élément détecteur magnétorésistif, notamment un élément de détection angulaire, comprenant une première couche magnétique (1) dont le sens d'aimantation représente un sens de référence, une deuxième couche (2), non magnétique, formée sur la première couche (1), et une troisième couche (3), magnétique, formée sur la deuxième couche et dont le sens d'aimantation peut être influencé par un champ magnétique extérieur. La troisième couche se présente au moins en partie sous la forme de segments individuels (3a).
États désignés : AU, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)