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1. (WO2000016479) CIRCUIT D'INDUCTEUR ELECTRONIQUE UTILISANT DES TRANSISTORS EN CASCADE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016479    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019462
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 27.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.03.2000    
CIB :
H03H 11/48 (2006.01)
Déposants : CONEXANT SYSTEMS, INC. [US/US]; Joseph King 4311 Jamboree Road Newport Beach, CA 92660-3095 (US)
Inventeurs : JARCY, Michael, J.; (US)
Mandataire : GESS, Albin, H.; Price, Gess & Ubell 2100 S.E. Main Street Suite 250 Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
09/153,952 16.09.1998 US
Titre (EN) ELECTRONIC INDUCTOR CIRCUIT USING CASCODED TRANSISTORS
(FR) CIRCUIT D'INDUCTEUR ELECTRONIQUE UTILISANT DES TRANSISTORS EN CASCADE
Abrégé : front page image
(EN)An electronic inductor circuit comprises a pair of cascoded Darlington bipolar or MOSFET transistors, configured such that the impedance presented by the collector (drain) of the top transistor of the electronic inductor is increased, relative to the other resistive components in the electronic inductor circuit and DAA. The impedance is increased to a magnitude such that small fluctuations in the collector (drain) impedance do not vary the over-all electronic inductor circuit impedance. Therefore, as heat generated by the circuit causes the impedance of the transistor in the electronic inductor to change, the impedance change does not adversely affect over-all modem circuit performance.
(FR)Un circuit d'inducteur électronique comprend une paire de transistors bipolaires Darlington ou MOSFET en cascade, configurés de façon à accroître l'impédance présentée par le collecteur (drain) du transistor supérieur de l'inducteur électronique par rapport à d'autres composants résistifs du circuit de l'inducteur électronique et du dispositif d'accès aux données (DAA). L'impédance est augmentée jusqu'à une certaine amplitude de sorte que de petites fluctuations dans l'impédance du collecteur (drain) ne fassent pas varier l'impédance générale du circuit électronique. Donc, du fait que la chaleur générée par le circuit suscite un changement d'impédance du transistor de l'inducteur électronique, le changement d'impédance ne compromet pas la performance globale du circuit du modem.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)