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1. (WO2000016409) CELLULE THERMOPHOTOVOLTAIQUE A BASE D"ANTIMONIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN A GRAIN GROSSIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016409    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/020632
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 10.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.04.2000    
CIB :
H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 31/0368 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01)
Déposants : JX CRYSTALS INC. [US/US]; Suite A2 1105 12th Avenue, N.W. Issaquah, WA 98027 (US) (Tous Sauf US).
FRAAS, Lewis, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Han-Xiang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FRAAS, Lewis, M.; (US).
HUANG, Han-Xiang; (US)
Mandataire : WRAY, James, C.; Suite 300 1493 Chain Bridge Road McLean, VA 22101 (US)
Données relatives à la priorité :
60/099,679 10.09.1998 US
09/388,356 01.09.1999 US
Titre (EN) COARSE GRAIN POLYCRYSTALLINE GALLIUM ANTIMONIDE THERMOPHOTOVOLTAIC CELL
(FR) CELLULE THERMOPHOTOVOLTAIQUE A BASE D"ANTIMONIURE DE GALLIUM POLYCRISTALLIN A GRAIN GROSSIER
Abrégé : front page image
(EN)A TPV cell apparatus (1) with a base region of GaSb crystals (2). The GaSb crystals (2) are of varying orientations and joined at grain boundaries (4). A surface region is provided on the GaSb crystals (2). The GaSb crystals (2) are Tellurium doped N-type GaSb (3) and the surface region is thin Zinc doped P-type GaSb cells (5). The surface region faces an infrared source. A bus region (8) is connected to a metal grid (6) which is in contact with the surface region of the cell (1). A continuous metal layer (7) is in contact with the GaSb crystals (2). A multilayer coating (9) forms an infrared filter for transmitting convertible infrared energy to the cell (1) and for reflecting as much of non-convertible infrared energy back to the IR source as possible. A TPV generator may be provided with the TPV cells (1).
(FR)Cette invention se rapporte à un appareil (1) de type cellule thermophotovoltaïque comportant une région de base de cristaux (2) d"antimoniure de gallium (GaSb). Lesdits cristaux de GaSb (2) possèdent des orientations diverses et sont soudés au niveau de joints de grain (4). Ils possèdent une région surfacique. Ces cristaux (2) sont composés de GaSb de type-N dopé par du tellure (3) et la région surfacique est constituée de fines particules de GaSb de type-P dopé par du zinc (5). Ladite région surfacique est tournée vers une source d"infrarouges. Une région de type bus (8) est connectée à une grille métallique (6) qui est en contact avec la région surfacique de la cellule (1). Une couche métallique continue (7) est en contact avec les cristaux de GaSb. Un revêtement multicouche (9) forme un filtre à infrarouges conçu pour transmettre l"énergie infrarouge transformable à la cellule (1) et pour réfléchir autant d"énergie infrarouge non transformable que possible vers la source d"infrarouges. Un générateur thermophotovoltaïque peut être équipé de telles cellules thermophotovoltaïques (1).
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)