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1. (WO2000016393) PROCEDE DE FORMATION D'INTERCONNEXIONS PAR DEPOT SELECTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016393    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019335
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 24.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.03.2000    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : CHERN, Geeng-Chuan; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck P.O. Box 2-E San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
09/154,801 17.09.1998 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING INTERCONNECTS USING SELECTIVE DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'INTERCONNEXIONS PAR DEPOT SELECTIF
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a multilevel interconnect includes depositing a layer (20) of insulative material atop a first conductive layer (10). Trenches and vias are formed in the insulation layer (20). A thin liner layer (40) is deposited atop the insulation layer (20). Portions of the underlying insulation layer (20) outside of the trenches and vias are exposed by etching away portions of the liner layer (40). A subsequent selective deposition of a conductive material (50) forms only within the trenches and vias, thus creating the interconnect.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une interconnexion multiniveau qui consiste à déposer une couche (20) de matériau isolant sur une première couche (10) conductrice. Des tranchées et des trous d'interconnexion sont formés dans la couche (20) isolante. Une couche (40) de revêtement mince est déposée sur le dessus de la couche (20) isolante. Des parties de la couche (20) isolante sous-jacente à l'extérieur des tranchées et des trous d'interconnexion sont exposées sous l'effet de l'attaque chimique des parties de la couche (40) de revêtement. Un dépôt sélectif ultérieur d'un matériau (50) conducteur est effectué uniquement dans les tranchées et les trous d'interconnexion, ce qui crée l'interconnexion.
États désignés : CA, CN, JP, KR, NO, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)