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1. (WO2000016378) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016378    N° de la demande internationale :    PCT/SG1999/000091
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 03.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.04.2000    
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE [SG/SG]; 10 Kent Ridge Crescent Singapore 119260 (SG) (Tous Sauf US).
ZHANG, Xiong [CN/SG]; (SG) (US Seulement).
CHUA, Soo-Jin [MY/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Xiong; (SG).
CHUA, Soo-Jin; (SG)
Mandataire : SURESAN, Sachithananthan; C/O Tan Rajah & Cheah 9 Battery Road, #15-00 Straits Trading Building Singapore 049910 (SG)
Données relatives à la priorité :
9803670-0 15.09.1998 SG
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING GROUP-III NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a group-III nitride-based semiconductor device that is grown over the surface of composite intermediate layers consisting of a thin amorphous silicon film or any stress-relief film or a combination of them and at least one multi-layered buffer on silicon substrate, and a method of fabricating the same device. The intermediate layers that suppress the occurrence of crystal defects and propagation of misfit dislocations induced by the lattice mismatch between the epitaxial layer and substrate, can be grown on a part or the entirety of the surface of a silicon (001) or (111) substrate which can be single crystal or coated with a thin amorphous silicon film. Then at least one layer or multiple layers of high quality group-III nitride-based semiconductors are grown over the composite intermediate layers.
(FR)Dispositif à semi-conducteur à base de nitrure du groupe III, qui est cultivé sur la surface de couches composites intermédiaires constituées d'un film de silicium amorphe fin ou d'un film de relaxation des contraintes ou d'une combinaison des deux et d'au moins un tampon multicouche situé sur un substrat de silicium, et procédé de fabrication dudit dispositif. Les couches intermédiaires qui suppriment l'apparition de défauts cristallins et la propagation des dislocations induites par le décalage de réseau entre la couche épitaxiale et le substrat, peuvent être cultivées sur une partie ou sur toute la surface d'un substrat de silicium (001) ou (111) qui peut être monocristallin ou couvert d'un film de silicium fin amorphe. Ensuite, au moins une couche ou des couches multiples de semi-conducteurs à base de nitrure du groupe III de haute qualité sont cultivées sur les couches intermédiaires composites.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)