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1. (WO2000016338) MATRICE DE MEMOIRE FLASH AVEC RAFRAICHISSEMENT INTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016338    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/021018
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 14.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.04.2000    
CIB :
G11C 16/08 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/16 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : GUPTA, Anil; (US).
SCHUMANN, Steve; (US)
Mandataire : D'ALESSANDRO, Kenneth; Sierra Patent Group, Ltd. P.O. Box 6149 Stateline, NV 89449 (US)
Données relatives à la priorité :
09/156,213 17.09.1998 US
Titre (EN) FLASH MEMORY ARRAY WITH INTERNAL REFRESH
(FR) MATRICE DE MEMOIRE FLASH AVEC RAFRAICHISSEMENT INTERNE
Abrégé : front page image
(EN)In a flash memory array, an internal refresh periodically rewrites the information stored in each of the rows of memory cells in a flash memory. The flash memory array includes a refresh pointer bitline that indicates the row to be refreshed. In a first embodiment of the present invention, the internal refresh is performed automatically after every user erase/program cycle. In second and third embodiments, the user of the flash memory array selects when the internal refresh is performed, but the address of the row to be refreshed is supplied internally. In each of the three embodiments, the internal refresh includes the four operations of SCAN, REFRESH ERASE, REFRESH PROGRAM, and INCREMENT.
(FR)Selon cette invention, dans une matrice de mémoire flash un rafraîchissement interne récrit périodiquement les informations stockées dans chaque rangée de cellules de mémoire faisant partie de la mémoire flash. La matrice de mémoire flash comprend une ligne binaire de pointeur de rafraîchissement qui indique la rangée à rafraîchir. Dans un premier mode de réalisation de la présente invention, le rafraîchissement interne s'opère automatiquement après chaque cycle de programme/effacement utilisateur. Dans deux autres modes de réalisation, l'utilisateur de la matrice de mémoire flash choisit le moment quand s'opère le rafraîchissement interne, l'adresse de la rangée à rafraîchir étant cependant fournie en interne. Dans chacun des modes de réalisation, le rafraîchissement interne comprend les quatre opérations SCAN, REFRESH ERASE, REFRESH PROGRAM et INCREMENT.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)