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1. (WO2000016162) PROCEDE RELATIF A L'UTILISATION D'UN CACHE A EXPOSITION MODULEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/016162    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/021284
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 17.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.04.2000    
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : MEMS OPTICAL, LLC [US/US]; 205 Import Circle Huntsville, AL 35806 (US) (Tous Sauf US).
BROWN, David, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCCOY, Barry, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
TUCK, Gerald [US/US]; (US) (US Seulement).
MILES, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
PETERS, Bruce [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BROWN, David, R.; (US).
MCCOY, Barry, S.; (US).
TUCK, Gerald; (US).
MILES, Scott; (US).
PETERS, Bruce; (US)
Mandataire : SMITH, GAMBRELL & RUSSEL, LLP; Beveridge, DeGrandi, Weilacher & Young Intellectual Property Group Suite 800, 1850 M Street, N.W. Washington, DC 20036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/100,728 17.09.1998 US
Titre (EN) METHOD OF USING A MODULATED EXPOSURE MASK
(FR) PROCEDE RELATIF A L'UTILISATION D'UN CACHE A EXPOSITION MODULEE
Abrégé : front page image
(EN)A photolithographic process includes providing a layer of photoresistive material (250) on a substrate (240). Radiation is transmitted to the photoresistive material through a layer of absorbing material (220) that absorbs the radiation with a transmittance proportional to the thickness of the absorbing material. A surface relief structure is formed in the absorbing material, so that the photoresistive material is only partially exposed in a pattern corresponding to the surface relief feature. Thus, when the photoresistive material is developed, it has a surface relief structure corresponding to the surface relief structure in the absorbing material. Etching the developed photoresistive material and target substrate then forms a surface relief structure in the target substrate that corresponds to the surface relief structure in the developed photoresistive material.
(FR)L'invention concerne un procédé lithographique qui consiste à fournir une couche de matériau photosensible (250) sur un substrat (240). Un rayonnement parvient à ce matériau via une couche de matériau absorbant (220) qui absorbe ledit rayonnement selon une transmittance proportionnelle à l'épaisseur du matériau absorbant. Une structure à relief de surface est formée sur le matériau absorbant, de manière à exposer seulement partiellement le matériau photosensible selon une configuration correspondant à la structure considérée. Ainsi, lorsque le matériau photosensible est développé, sa structure à relief de surface correspond à celle du matériau absorbant. Ensuite, l'attaque du matériau photosensible développé et du substrat cible permet de former dans le substrat en question une structure à relief de surface qui correspond à la structure à relief de surface dans le matériau photosensible développé.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)