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1. (WO2000015885) PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE DE GERMANIUM MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PRODUITS OBTENUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/015885    N° de la demande internationale :    PCT/FR1999/002154
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 10.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2000    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : FRANCE TELECOM [FR/FR]; 6, place d'Alleray F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
HERNANDEZ, Caroline [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CAMPIDELLI, Yves [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BENSAHEL, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : HERNANDEZ, Caroline; (FR).
CAMPIDELLI, Yves; (FR).
BENSAHEL, Daniel; (FR)
Mandataire : BUREAU D.A. CASALONGA-JOSSE; 8, avenue Percier F-75008 Paris (FR).
CASALONGA, Axel; Bureau D.A. Casalonga-Josse Morassistr. 8 D-80469 München (DE)
Données relatives à la priorité :
98/11313 10.09.1998 FR
Titre (EN) METHOD FOR OBTAINING A MONOCRYSTALLINE GERMANIUM LAYER ON A MONOCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE, AND RESULTING PRODUCTS
(FR) PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE DE GERMANIUM MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PRODUITS OBTENUS
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method which consists in: (a) stabilisation of the monocrystalline silicon substrate temperature at a first predetermined temperature T¿1? of 400 to 500 °C; (b) chemical vapour deposition (CVD) of germanium at said first predetermined temperature T¿1? until a base germanium layer is formed on the substrate, with a predetermined thickness less than the desired final thickness; (c) increasing the CVD temperature from said first predetermined temperature T¿1? up to a second predetermined temperature T¿2? of 750 to 850 °C; and (d) carrying on with CVD of germanium at said second predetermined temperature T¿2? until the desired final thickness for the monocrystalline germanium final layer is obtained. The invention is useful for making semiconductor devices.
(FR)Le procédé comprend: (a) la stabilisation en température du substrat de silicium monocristallin à une première température prédéterminée T¿1? de 400 à 500 °C; (b) le dépôt chimique en phase vapeur CVD de germanium à ladite première température prédeterminée T¿1? jusqu'à obtention d'une couche de base de germanium sur le substrat, d'une épaisseur prédéterminée inférieure à une épaisseur finale voulue; (c) l'accroissement de la température de dépôt CVD du germanium depuis ladite première température prédéterminée T¿1? jusqu'à une seconde température prédéterminée T¿2? de 750 °C à 850 °C; et (d) la poursuite du dépôt CVD du germanium à ladite seconde température prédéterminée T¿2? jusqu'à obtention de l'épaisseur finale voulue pour la couche finale de germanium monocristallin. Application à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)