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1. (WO2000015884) DISPOSITIF COMBINATOIRE D'ÉPITAXIE DE COUCHE MOLÉCULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/015884    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004946
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 10.09.1999
CIB :
B01J 19/00 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
KOINUMA, Hideomi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOINUMA, Hideomi; (JP).
KAWASAKI, Masashi; (JP)
Mandataire : HIRAYAMA, Kazuyuki; Shinjukugyoen Bldg. 6th floor 3-10, Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/258967 11.09.1998 JP
10/258968 11.09.1998 JP
10/258969 11.09.1998 JP
10/258970 11.09.1998 JP
Titre (EN) COMBINATORIAL MOLECULAR LAYER EPITAXY DEVICE
(FR) DISPOSITIF COMBINATOIRE D'ÉPITAXIE DE COUCHE MOLÉCULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A combinatorial molecular layer epitaxy device comprising a pressure-controllable common chamber (22), at least one transferable substrate heating unit (36) having in the common chamber a substrate holder (48) holding at least one substrate and at least one pressure-controllable processing chamber (24, 26, 28) each corresponding to a substrate heating unit, wherein a growth chamber (24) out of processing chambers has a multiple-material supply means for supplying materials to substrates (5) held by each substrate heating unit, a gas supply means for supplying gas onto the surfaces of substrates, and an on-site observation means for observing on-site an epitaxial growth for each monolayer on a substrate surface, whereby forming each temperature-and pressure-controllable vacuum chamber by each substrate heating unit and each processing chamber.
(FR)Ce dispositif combinatoire d'épitaxie de couche moléculaire comprend une enceinte commune (22), au moins une unité de chauffage de substrat transférable (36) pourvu dans l'enceinte commune un porte-substrat (48), maintenant au moins un substrat, et au moins une chambre de traitement à pression commandée (24, 26, 28), correspondant, chacune, à une unité de chauffage de substrat. La chambre de croissance (24), hors des chambres de traitement, comporte un dispositif d'approvisionnement en plusieurs matériaux amenant des matériaux aux substrats (5) maintenus par chaque unité de chauffage de substrat, un dispositif d'alimentation en gaz amenant un gaz sur les surfaces des substrats et un dispositif d'observation sur place permettant d'observer sur place la croissance épitaxiale de chaque monocouche sur une surface de substrat, formant, ainsi, chaque chambre à dépression à température et à pression commandées, avec chaque unité de chauffage de substrat et chaque chambre de traitement.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)