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1. (WO2000015868) PROCEDE DE DEPOT DE SILICIUM A FORT DEBIT SOUS PRESSION REDUITE

Pub. No.:    WO/2000/015868    International Application No.:    PCT/US1999/021200
Publication Date: 23 mars 2000 International Filing Date: 15 sept. 1999
IPC: C23C 16/24
C23C 16/44
C23C 16/455
C23C 16/458
H01L 21/205
Applicants: TORREX EQUIPMENT CORPORATION
Inventors: COOK, Robert, C.
BRORS, Daniel, L.
Title: PROCEDE DE DEPOT DE SILICIUM A FORT DEBIT SOUS PRESSION REDUITE
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de dépôt de silicium à fort débit et sous faible pression. Ce procédé fait notamment intervenir un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (56) caractérisé par une grande uniformité de la température et du débit gazeux. Il permet de combiner la température de la plaquette, du débit gazeux et de la pression dans la chambre. Selon ce procédé, un substrat (60) est placé dans une chambre sous vide dans laquelle un gaz réactif est injecté parallèlement audit substrat via une pluralité de buses d'injection à commande thermique (64). Ainsi, le taux de dépôt n'est limité que par le taux d'alimentation en gaz inaltéré sur la surface du substrat et par le taux d'évacuation des produits de réaction secondaires. Grâce à la conjonction de ces conditions, la réaction à la surface de la plaquette est telle que le taux de dépôt est supérieur au taux de cristallisation, avec pour résultat une formation cristalline très faible et donc un film de silicium polycristallin très lisse présentant une rugosité de surface de l'ordre de 5-7 nm pour une épaisseur de 2500 angströms.