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1. (WO2000015544) OUVERTURE PRATIQUEE DANS UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET REALISATION DE CETTE OUVERTURE ET SON UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/015544    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/006685
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 10.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2000    
CIB :
B81B 1/00 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), G01Q 70/08 (2010.01), G02B 27/58 (2006.01), H01J 37/09 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT GESAMTHOCHSCHULE KASSEL [DE/DE]; Mönchebergstrasse 19, D-34109 Kassel (DE) (Tous Sauf US).
KASSING, Rainer [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MIHALCEA, Christophe [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
OESTERSCHULZE, Egbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KASSING, Rainer; (DE).
MIHALCEA, Christophe; (DE).
OESTERSCHULZE, Egbert; (DE)
Mandataire : MÜLLER, Eckhard; Eifelstrasse 14, D-65597 Hünfelden-Dauborn (DE)
Données relatives à la priorité :
198 41 909.0 12.09.1998 DE
199 26 601.8 11.06.1999 DE
Titre (DE) APERTUR IN EINEM HALBLEITERMATERIAL SOWIE HERSTELLUNG DER APERTUR UND VERWENDUNG
(EN) APERTURE IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND THE PRODUCTION AND USE THEREOF
(FR) OUVERTURE PRATIQUEE DANS UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET REALISATION DE CETTE OUVERTURE ET SON UTILISATION
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) mit folgenden Schritten beschrieben: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (14), beispielsweise eines (100)-orientierten Siliziumwafers mit einer Oberfläche (16) und einer Unterfläche (18), Erzeugen einer Vertiefung (20) mit einer Seitenwand (22) in der Oberfläche (16) des Halbleiterwafers (14) durch partielles Anätzen der Oberfläche (16), wobei die Vertiefung (20) einen der Unterfläche (18) zugewandten, geschlossenen Bodenbereich (24) bevorzugt mit insbesondere einer konvexen oder insbesondere einer konkaven Ecke oder Kante oder dergleichen Krümmung aufweist. Nach Aufbringen einer Oxidschicht (26) auf dem Halbleitermaterial (12) wenigstens im Bereich der Vertiefung (20) durch Oxidation des Halbleitermaterials (12), wobei die Oxidschicht (26) im Bodenbereich (24) bevorzugt eine Inhomogenität (28) aufweist, wird das Halbleitermaterial (14) an der Unterfläche (18) des Halbleiterwafers (14) selektiv bis zum Freilegen wenigstens der im Bodenbereich (24) befindlichen Oxidschicht (26) rückgeätzt. Anschließend wird die freigelegte Oxidschicht (26) bis wenigstens zu deren Durchtrennung angeätzt. Weiterhin sind auch eine insbesondere nach diesem Verfahren hergestellte Apertur (10) in einem Halbleitermaterial (12) sowie verschiedene Verwendungen einer solchen Apertur (10) beschrieben.
(EN)The invention relates to a method for producing an aperture (10) in a semiconductor material (12) comprising the following steps: Preparing a semiconductor wafer (14), for example, a (100)-oriented silicon wafer having an upper surface (16) and a lower surface (18); producing a cavity (20) with a side wall (22) in the upper surface (16) of the semiconductor wafer (14) by partially etching said upper surface (16), whereby the cavity (20) comprises a closed bottom area (24) which faces the lower surface (18) and which preferably has, in particular, a convex or, in particular, a concave corner or edge or a curvature of this type. After depositing an oxide layer (26) on the semiconductor material (12) at least in the area of the cavity (20) by oxidizing the semiconductor material (12), whereby the oxide layer (26) preferably comprises an inhomogeneity (28) in the bottom area (24), the semiconductor material (14) is selectively etched back on the lower surface (18) of the semiconductor wafer (14) until at least the oxide layer (26) located in the bottom area (24) is exposed. Afterwards, the exposed oxide layer (26) is etched until it is at least severed. In addition, the invention relates to an aperture (10) in a semiconductor material (12) especially produced according to the inventive method, and to different uses of such an aperture (10).
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de pratiquer une ouverture (10) dans un matériau semi-conducteur (12), qui comprend les étapes suivantes: préparer une tranche à semi-conducteur (14), par exemple une tranche de silicium (100)-orientée, ayant une face supérieure (16) et une face inférieure (18); créer une cavité (20) avec une paroi latérale (22) dans la face supérieure (16) de la tranche à semi-conducteur (14), par décapage partiel de la face supérieure (16), ladite cavité (20) présentant une zone de fond (24) fermée, qui fait face à la face inférieure (18), comportant notamment un coin ou un bord convexe ou notamment concave ou toute autre courbure similaire. Après application d'une couche d'oxyde (26) sur le matériau à semi-conducteur (12), au moins dans la zone de la cavité (20), par oxydation du matériau à semi-conducteur (12), ladite couche d'oxyde (26) présentant de préférence une hétérogénéité dans la zone de fond (24), le matériau à semi-conducteur (14) est gravé en retrait au niveau de la face inférieure (18) de la tranche à semi-conducteur (14) de manière sélective jusqu'à ce qu'au moins la couche d'oxyde (26) située dans la zone de fond (24) soit dégagée. La couche d'oxyde (26) dégagée est ensuite décapée au moins jusqu'à ce qu'elle se sépare. L'invention concerne en outre une ouverture (10) créée notamment d'après ce procédé, dans un matériau à semi-conducteur (12), ainsi que différentes utilisations d'une ouverture (10) de ce type.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)