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1. (WO2000015352) DEPOT AUTOCATALYTIQUE DE METAUX SUR DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS UN RECIPIENT POUVANT ETRE FERME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/015352    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/021339
Date de publication : 23.03.2000 Date de dépôt international : 16.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.04.2000    
CIB :
C23C 18/16 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H05K 3/18 (2006.01)
Déposants : CFMT, INC. [US/US]; Suite 106-F 1403 Foulk Road Wilmington, DE 19803 (US)
Inventeurs : VERHAVERBEKE, Steven; (US).
McCONNELL, Christopher, F.; (US)
Mandataire : PARKER, Henrik, D.; Woodcock Washburn Kurtz Mackiewicz & Norris 46th floor One Liberty Place Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/100,870 17.09.1998 US
09/395,398 14.09.1999 US
Titre (EN) ELECTROLESS METAL DEPOSITION OF ELECTRONIC COMPONENTS IN AN ENCLOSABLE VESSEL
(FR) DEPOT AUTOCATALYTIQUE DE METAUX SUR DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS UN RECIPIENT POUVANT ETRE FERME
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides methods of electrolessly depositing metal onto the surfaces of electronic components (22) using an enclosable single vessel (20). The methods of the present invention include contacting the electronic components (22) with an activation solution followed by contacting the electronic components (22) with a metal deposition solution. In a preferred embodiment of the present invention, the oxygen levels in the activation solution and metal deposition solution are controlled in a manner for improved processing results. In another preferred embodiment of the present invention, the activation and metal deposition solutions are used one time without reuse.
(FR)L'invention concerne des procédés de dépôt autocatalytique de métal sur les surfaces de composants (22) électroniques dans un récipient (20) unique pouvant être fermé. Ces procédés comprennent les étapes suivantes : On met en contact les composants (22) électroniques avec une solution d'activation, puis on les met en contact avec une solution de métallisation. Dans un mode de mise en oeuvre préféré, la teneur d'oxygène de la solution d'activation et de la solution de métallisation est régulée de manière à améliorer les résultats du traitement. Dans un autre mode de mise en oeuvre préféré, les solution d'activation et de métallisation ne sont utilisées qu'une seule fois et non réutilisées.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)