WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000014820) PROCEDE DE FORMATION DE CoOOH ET DE NiOOH DANS UNE CELLULE ELECTROCHIMIQUE A NiMH ET CELLULE ELECTROCHIMIQUE ELABOREE A L'AIDE DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/014820    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/020173
Date de publication : 16.03.2000 Date de dépôt international : 02.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.12.2000    
CIB :
H01M 10/28 (2006.01), H01M 10/44 (2006.01), H02J 7/00 (2006.01), H01M 10/34 (2006.01), H01M 4/52 (2010.01)
Déposants : MOLTECH POWER SYSTEMS, INC. [US/US]; U.S. Highway 441 North Alachua, FL 32615 (US)
Inventeurs : SINGH, Deepika, B.; (US)
Mandataire : NICOL, Jacqueline, M.; Moltech Corporation 9062 South Rita Road Tucson, AZ 85747-9018 (US)
Données relatives à la priorité :
09/148,176 04.09.1998 US
Titre (EN) A METHOD OF FORMING CoOOH and NiOOH IN A NiMH ELECTROCHEMICAL CELL AND AN ELECTROCHEMICAL CELL FORMED THEREBY
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE CoOOH ET DE NiOOH DANS UNE CELLULE ELECTROCHIMIQUE A NiMH ET CELLULE ELECTROCHIMIQUE ELABOREE A L'AIDE DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A formation procedure for a NiMH electrochemical cell is disclosed that significantly shortens the time required to fully form such a cell. The formation procedure includes a first step during which the cell is charged at a constant voltage of preferably 1.0 volt for approximately three hours. A second charging step is performed by applying either a constant charge current at a predetermined rate of C/3 for five hours or applying a constant voltage of 1.45 to 1.5 volts for five to nine hours. A third step may optionally be used whereby the cell is charged at a constant current of C/10 for about two hours. NiMH cells subjected to this formation procedure have a much greater percentage of the starting cobalt material in the positive electrode converted to CoOOH thereby improving the conductive matrix formed about the Ni(OH)¿2?/NiOOH particles, which constitute the active material of the positive electrode. The disclosed inventive formation procedures result in higher utilization, higher cell capacities following long-term storage, or storage at high temperatures as well as improved capacity recovery following deep discharge.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de cellule électrochimique à NiMH qui permet de réduire considérablement le temps nécessaire à l'élaboration complète d'une telle cellule. Le procédé de formation comporte une première étape au cours de laquelle la cellule est chargée à une tension constante équivalant de préférence à 1,0 volt pendant approximativement trois heures. Une deuxième étape de charge est mise en oeuvre par l'application d'un courant de charge constant à une vitesse prédéterminée de C/3 pendant cinq heures, ou par l'application d'une tension constante de 1,45 à 1,5 volts pendant cinq à neuf heures. Une troisième étape peut éventuellement être mise en oeuvre, au cours de laquelle la cellule est chargée à un courant constant de C/10 pendant environ deux heures. Les cellules à NiMH soumises à ce procédé de formation présentent un pourcentage beaucoup plus élevé de matière de cobalt de départ de l'électrode positive qui est transformée en CoOOH, ce qui permet d'améliorer la matrice conductrice formée autour des particules de Ni(OH)¿2?/NiOOH constituant la matière active de l'électrode positive. Les procédés de formation de l'invention permettent d'obtenir des capacités de cellule et d'utilisation supérieures suite à un stockage de longue durée ou un stockage à température élevée, ainsi qu'une capacité accrue de récupération après forte décharge.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)