WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2000014810) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTIONS CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/014810    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/002755
Date de publication : 16.03.2000 Date de dépôt international : 01.09.1999
CIB :
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
TIHANYI, Jenoe [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BARTSCH, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TIHANYI, Jenoe; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE).
BARTSCH, Wolfgang; (DE)
Données relatives à la priorité :
198 39 969.3 02.09.1998 DE
Titre (DE) SILIZIUMCARBID-JUNCTION-FELDEFFEKTTRANSISTOR
(EN) SILICON CARBIDE JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTIONS CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen lateralen Siliziumcarbid-Junction-Feldeffekttransistor, bei dem p- und n-leitende Siliziumcarbidschichten (3, 4) paarweise in lateraler Richtung in einen Siliziumcarbidkörper (1, 2) vorgesehen sind, in dessen Hauptoberfläche Trenche für Source (S), Drain (D) und Gate (G) eingebracht sind, die mit für Source und Drain einerseits und Gate andererseits Siliziumcarbid unterschiedlichen Leitungstyps gefüllt sind.
(EN)The invention relates to a lateral silicon carbide junction field effect transistor, wherein p and n type conductivity silicon carbide layers (3, 4) are provided in pairs in lateral direction in a silicon carbide body (1, 2), on whose main surface trenches for the source (S), drain (D) and gate (G) areas have been made, which are filled with silicon carbide having different types of conductivity for the source and the drain areas and for the gate area.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ latéral à jonctions carbure de silicium, où des couches de carbure de silicium à conduction type p et à conduction type n sont prévues par paires dans le sens latéral, dans un corps de carbure de silicium (3, 4), dans la surface principale duquel sont pratiquées des tranchées pour la source (S), le drain (D) et la grille (G). Lesdites tranchées sont remplies de carbure de silicium de différents types de conduction, d'une part pour la source et le drain et d'autre part pour la grille.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)