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1. (WO2000014786) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/014786    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004741
Date de publication : 16.03.2000 Date de dépôt international : 01.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.03.2000    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
AKAHORI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INAZAWA, Kouichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SENOO, Kouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAGIWARA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AKAHORI, Takashi; (JP).
INAZAWA, Kouichiro; (JP).
SENOO, Kouji; (JP).
HAGIWARA, Masaaki; (JP)
Mandataire : SATO, Kazuo; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Building 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/264040 02.09.1998 JP
10/321537 27.10.1998 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device having an interlayer insulating film of, e.g., fluorine-added carbon by a simple dual damascene method. An insulating film, e.g., an SiO¿2? film (3) is formed on a substrate (2), a via hole (31) is made in the SiO¿2? film (3) by etching, and an upper insulating film, e.g., a CF film (4) is formed over the SiO¿2? film (3). If the CF film is formed by means of a plasma created from a film forming material having a bad buriability, e.g., C¿6?F¿6? gas, the CF film is prevented from being buried in the via hole (31) and the CF film (4) is formed over the SiO¿2? film (3). A trench (41) is made in the CF film (4) by etching, enabling easy formation of a dual damascene having the trench (41) and the via hole (31) integrally continuous with the trench (41).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur présentant une couche mince isolante intercouche, par exemple, en carbone additionné de fluor par un simple procédé de double damasquinage. Une couche mince isolante, par exemple, une couche mince SiO¿3? (3) est formée sur un substrat (2), un trou de passage (31) est formé dans la couche mince SiO¿2? (3) par attaque chimique, et une couche mince isolante supérieure, par exemple, une couche mince CF (4) est formée sur la couche mince SiO¿2? (3). Si la couche mince CF est formée au moyen d'un plasma créé à partir d'un matériau filmogène ayant une mauvaise aptitude à l'enfouissement, par exemple un gaz C¿6?F¿6?, on empêche que la couche mince CF ne soit enfouie dans le trou de passage (31) et on forme la couche mince CF (4) sur la couche mince SiO¿2? (3). Une tranchée (41) est formée dans la couche mince CF¿4? par attaque chimique, ce qui permet la formation facile d'un double damasquinage avec la tranchée (41) et le trou de passage (31) solidairement continu à la tranchée (41).
États désignés : IL, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)