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1. (WO2000014785) PROCEDE PERMETTANT DE NETTOYER UN FILM ORGANIQUE DE DIELECTRIQUE CONTENANT DES TRANCHES A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/014785    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/020075
Date de publication : 16.03.2000 Date de dépôt international : 02.09.1999
CIB :
C11D 1/00 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 11/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventeurs : GEORGE, Anna, M.; (US).
TOWERY, Daniel, L.; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; AlliedSignal Inc. (Law Dept., Attn: A. Olinger) 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Données relatives à la priorité :
09/145,921 03.09.1998 US
Titre (EN) A METHOD FOR CLEANING ORGANIC DIELECTRIC FILM CONTAINING SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE NETTOYER UN FILM ORGANIQUE DE DIELECTRIQUE CONTENANT DES TRANCHES A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for cleaning the surface of a semiconductor wafer having an organic dielectric film thereon by removing residual slurry particles adhered to the wafer surface after chemical-mechanical planarization is provided. The semiconductor is subjected to a post CMP cleaning step by applying mechanical frictional force to the surface of the wafer while concurrently applying to the wafer surface an aqueous solution having a pH of greater than 10 for a period of time sufficient to wet and clean the wafer surface, the basic aqueous solution comprised of a surfactant and a tetra alkyl quaternary ammonium hydroxide compound such as tetramethylammonium hydroxide.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de nettoyer la surface d'une tranche à semi-conducteur recouverte d'un film organique de diélectrique, par élimination de particules résiduelles de boues d'aplanissement collées sur la surface de ladite tranche, après un aplanissement mécanico-chimique (CMP). Le semi-conducteur est soumis à un nettoyage après un aplanissement mécanico-chimique, ledit nettoyage consistant à appliquer une force de frottement mécanique sur la surface de la tranche, tout en appliquant simultanément sur ladite surface une solution aqueuse possédant un pH supérieur à 10, pendant une durée suffisante pour nettoyer la surface de la tranche, la solution aqueuse basique étant composée d'un tensioactif et d'un composé d'hydroxyde d'ammonium quaternaire-tétraalkyle, notamment un hydroxyde de tétraméthylammonium.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)