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1. (WO2000014766) LITHOGRAVEUR PAR PROJECTION A PARTICULES CHARGEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/014766    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/006636
Date de publication : 16.03.2000 Date de dépôt international : 07.09.1999
CIB :
H01J 37/30 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : KRIJN, Marcellinus, P., C., M.; (NL)
Mandataire : BAKKER, Hendrik; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
98203012.4 09.09.1998 EP
Titre (EN) PROJECTION LITHOGRAPHY DEVICE UTILIZING CHARGED PARTICLES
(FR) LITHOGRAVEUR PAR PROJECTION A PARTICULES CHARGEES
Abrégé : front page image
(EN)According to a known projection lithography method an object (14) is imaged on an imaging surface (16) by means of a telescopic system of rotationally symmetrical electron lenses (10, 12). The throughput during the production of integrated circuits by means of projection lithography is determined by the amount of current in the imaging electron beam; this current is subject to a limit which is imposed by the resolution-limiting interaction of the electrons (Coulomb interaction). The invention allows for a larger beam current in that areas (18) with a high current concentration are avoided. To this end, the imaging system includes two quadrupoles, each of which coincides with one of the two round lenses (10, 12), so that the electrons are concentrated in line-shaped focal spots instead of a (small) circular cross-over (18). The system remains telescopic to a high degree and the imaging remains stigmatic.
(FR)Conformément à un procédé connu de lithogravure par projection, on réalise l'image d'un objet sur une surface d'image (16) au moyen d'un système télescopique de lentilles électroniques à symétrie rotationnelle (10, 12). Avec la lithogravure par projection, le rendement de production de circuits intégrés est déterminé par la quantité de courant dans le faisceau d'électrons d'imagerie. Ce courant est sujet à une limitation qu'impose l'interaction limitatrice de résolution entre électrons (interaction électrostatique). L'invention permet ainsi un plus grand courant de faisceau du fait qu'on évite les zones (18) à concentration élevée de courant. A cet effet, le système imageur comporte deux quadripôles dont chacun coïncide avec l'une des deux lentilles rondes (10, 12), de façon que les électrons se concentrent en des points focaux de forme linéaire, au lieu d'une (petite) intersection circulaire (18). Le système demeure télescopique à haut degré, l'imagerie restant quant à elle stigmatique.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)