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1. (WO2000013236) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES STRATIFIEES A DIELECTRIQUE SUR CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/013236    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019775
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 27.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2000    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
LIPKIN, Lori, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
PALMOUR, John, Williams [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIPKIN, Lori, A.; (US).
PALMOUR, John, Williams; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Philip Summa Suite 315 13777 Ballantyne Corporate Place Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
09/141,795 28.08.1998 US
Titre (EN) LAYERED DIELECTRIC ON SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES STRATIFIEES A DIELECTRIQUE SUR CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric structure is disclosed for silicon carbide-based semiconductor devices. In gated devices, the structure includes a layer of silicon carbide, a layer of silicon dioxide on the silicon carbide layer, a layer of another insulating material on the silicon dioxide layer, with the insulating material having a dielectric constant higher than the dielectric constant of silicon dioxide, and a gate contact to the insulating material. In other devices the dielectric structure forms an enhanced passivation layer or field insulator.
(FR)L'invention concerne une structure diélectrique destinée aux dispositifs semi-conducteurs à base de carbure de silicium. Dans des dispositifs à grille, la structure comprend une couche de carbure de silicium, une couche de dioxyde de silicium sur la couche de carbure de silicium, une couche d'un autre matériau isolant sur la couche de dioxyde de silicium, le matériau isolant possédant une constante diélectrique supérieure à celle du dioxyde de silicium et un contact à grille avec le matériau isolant. Dans d'autres dispositifs, la structure diélectrique forme une couche de passivation renforcée ou un isolateur de champ.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)