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1. (WO2000013214) SUBSTRAT SOI ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/013214    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004543
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 23.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2000    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo 108-8001 (JP) (Tous Sauf US).
OGURA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGURA, Atsushi; (JP)
Mandataire : INAGAKI, Kiyoshi; Fusoh Patent Firm Rindo Building 5F 37, Kanda-Higashimatsushita-cho Chiyoda-ku Tokyo 101-0042 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/245234 31.08.1998 JP
10/303346 09.10.1998 JP
Titre (EN) SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) SUBSTRAT SOI ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)An SOI substrate has an SiO¿2? film (230) whose center is at the depth of the damage peak at which the crystal defects are maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate (10). Even if a crystal defect (240) remains at the depth of the density peak at which the density is maximum, the crystal defect is out of the active layer and consequently it does not affect the operation of the device. Since the SOI substrate is manufactured by a low-dose SIMOX method, the manufacturing cost of the SOI substrate having reduced crystal defect in the active layer is low.
(FR)Le film de SiO¿2 ?(230) de ce substrat SOI (silicium sur isolant) est centré de façon que la hauteur du maximum de désorganisation des cristaux soit maximum au point d'implantation des ions oxygène dans le substrat (10) de silicium. Même si l'on constate une désorganisation (240) des cristaux au point de densité maximale, cette désorganisation n'atteint pas la couche active, et n'affecte donc pas le fonctionnement du dispositif. Le substrat SOI étant fabriqué conformément à un procédé SIMOX faiblement dosé, le surcoût de la fabrication d'un substrat SOI à moindre désorganisation cristalline dans la couche active reste minime.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)