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1. (WO2000013212) RESTAURATION PAR CYCLES DE TENSION DE COUCHES MINCES FERROELECTRIQUES ENDOMMAGEES DANS UN PROCESSUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/013212    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019059
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 18.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.03.2000    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SYMETRIX CORPORATION [US/US]; 5055 Mark Dabling Boulevard Colorado Springs, CO 80918 (US).
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München (DE)
Inventeurs : JOSHI, Vikram; (US).
SOLAYAPPAN, Narayan; (US).
HARTNER, Walter; (DE).
SCHINDLER, Günther; (DE)
Mandataire : FOREST, Carl, A.; Duft, Graziano & Forest, P.C. P.O. Box 270930 Louisville, CO 80027 (US)
Données relatives à la priorité :
09/144,297 31.08.1998 US
Titre (EN) VOLTAGE-CYCLING RECOVERY OF PROCESS-DAMAGED FERROELECTRIC FILMS
(FR) RESTAURATION PAR CYCLES DE TENSION DE COUCHES MINCES FERROELECTRIQUES ENDOMMAGEES DANS UN PROCESSUS
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit is formed containing a metal-oxide ferroelectric thin film (122). An voltage-cycling recovery process is conducted to reverse the degradation of ferroelectric properties caused by hydrogen. The voltage-cycling recovery process is conducted by applying 10 4 to 10 11 voltage cycles with an amplitudefrom 1 to 15 volts. Conducting voltage-cycling at a higher temperature in the range 30-200 °C enhances recovery. The metal oxide t hin film (122) comprise perovskite material like lead zirconium titanate (PZT) or layered super lattice material, preferably strontium bismuth tantalate (SBT) or strontium bismuth tantalum niobate (SBTN). If the integrated circuit manufacture includes a forming-gas anneal, then the voltage-cycling recovery process is performed after the forming-gas anneal. The voltage-cycling recovery process obviates oxygen-recovery annealing, and it allows continued use of conventional hydrogen-rich plasma processes and forming-gas anneals without the risk of permanent damage to the ferroelectric thin film(122).
(FR)L'invention concerne la formation d'un circuit intégré contenant une couche mince ferroélectrique (122) d'oxyde métallique, ainsi qu'un procédé de restauration par cycles de tension, que l'on exécute pour inverser la dégradation des propriétés ferroélectriques provoquée par l'hydrogène, et qui consiste à appliquer 10 4 à 10 11 cycles de tension, dont l'amplitude se situe entre 1 et 15 volts, l'exécution de ces cycles de tension à une température élevée, de l'ordre de 30 à 200 °C, accroissant la restauration de la couche mince. Cette couche mince d'oxyde métallique (122) comprend une pérovskite, comme un titanate de plomb-zirconium (PZT) ou un matériau en couches à super réseau, de préférence un tantalate de strontium-bismuth (SBT) ou un niobate de strontium-bismuth-tantale (SBTN). Si la fabrication de ce circuit intégré comprend un recuit sous atmosphère inerte, alors on exécute le procédé de restauration par cycles de tension après cette étape de recuit. Ce procédé de restauration évite le recuit à récupération d'oxygène et permet une utilisation en continu de processus classiques au plasma enrichi en hydrogène et de formation de recuits sous atmosphère inerte sans risque d'endommagement définitif de la couche mince ferroélectrique (122).
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)