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1. (WO2000013209) TRANCHES RECUITES THERMIQUEMENT AVEC FIXATION INTERNE DE GAZ AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/013209    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019636
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 27.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.02.2000    
CIB :
H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive P.O. Box 8 St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : FALSTER, Robert, J.; (IT)
Mandataire : HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel 16th floor One Metropolitan Square St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/098,921 02.09.1998 US
Titre (EN) THERMALLY ANNEALED SILICON WAFERS HAVING IMPROVED INTRINSIC GETTERING
(FR) TRANCHES RECUITES THERMIQUEMENT AVEC FIXATION INTERNE DE GAZ AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)A process for heat-treating a single crystal silicon wafer to dissolve agglomerated vacancy defects and to influence the precipitation behaviour of oxygen in the wafer in a subsequent thermal processing step is disclosed. The wafer has a front surface, a back surface, and a central plane between the front and back surfaces. In the process, the wafer is subjected to a thermal anneal to dissolve agglomerated vacancy defects present in a stratum extending from the front surface toward the center of the wafer. The annealed wafer is then heat-treated to form crystal lattice vacancies, the vacancies being formed in the bulk of the silicon. The heat-treated wafer is cooled from the temperature of said heat treatment at a rate which allows some, but not all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to produce a wafer having a vacancy concentration profile in which the peak density is at or near the central plane with the concentration generally decreasing in the direction of the front surface of the wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement thermique d'une tranche de silicium monocristallin permettant de dissoudre les défauts lacunaires agglomérés et d'influencer la précipitation de l'oxygène dans la tranche, lors d'une étape ultérieure de traitement thermique. Cette plaquette présente une surface avant, une surface arrière, et un plan central entre les surfaces avant et arrière. Lors de ce traitement, la tranche est soumise à un recuit thermique pour dissoudre les défauts lacunaires agglomérés présents dans une couche intermédiaire s'étendant depuis la surface avant vers le centre de la tranche. La tranche recuite est ensuite traitée thermiquement pour former des lacunes de réseau cristallin, ces lacunes étant formées dans la masse du silicium. Cette tranche ainsi traitée thermiquement est refroidie de la température du traitement thermique à une vitesse qui permet la diffusion d'une partie des lacunes du réseau cristallin dans la surface avant, de manière à obtenir une tranche présentant un profil de concentration lacunaire dans lequel la densité de crête se situe au niveau du plan central, ou à proximité, la concentration diminuant généralement dans le sens de la surface avant de la tranche.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)