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1. (WO2000012785) PROCEDE BASSE TEMPERATURE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE EPITAXIALE SUR UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/012785    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019684
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 26.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.01.2000    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01)
Déposants : SEMITOOL, INC. [US/US]; 655 Reserve Drive Kalispell, MT 59901 (US) (Tous Sauf US).
RITTER, Georg, M. [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TILLACK, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MORGENSTERN, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WOLANSKY, Dirk [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
McHUGH, Paul, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
STODDARD, Kevin [US/US]; (US) (US Seulement).
TSAKALIS, Konstantinos [GR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RITTER, Georg, M.; (DE).
TILLACK, Bernd; (DE).
MORGENSTERN, Thomas; (DE).
WOLANSKY, Dirk; (DE).
McHUGH, Paul, R.; (US).
STODDARD, Kevin; (US).
TSAKALIS, Konstantinos; (US)
Mandataire : CHAPA, Lawrence, J.; Two Prudential Plaza 47th floor 180 North Stetson Chicago, IL 60601 (US)
Données relatives à la priorité :
60/098,057 26.08.1998 US
Titre (EN) LOW-TEMPERATURE PROCESS FOR FORMING AN EPITAXIAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE BASSE TEMPERATURE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE EPITAXIALE SUR UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A low temperature process for forming an epitaxial layer on a workpiece surface, without requiring ultrahigh vacuum or ultraclean conditions in the processing chamber during formation of the epitaxial layer. The process further allows for the simultaneous formation of an epitaxial layer on a plurality of workpieces (28). The workpieces are placed in chamber (12) with multi controlled heater (212) and controllers (308 and 306). The gas (250) is supplied via a pipe and panel (248) to control flow.
(FR)L'invention concerne un procédé basse température permettant de former une couche épitaxiale sur la surface d'une pièce sans que des conditions de dépression et de propreté extrêmes ne soient requises à l'intérieur de l'enceinte de traitement pendant la formation de cette couche épitaxiale. Ce procédé permet en outre de former simultanément une couche épitaxiale sur une pluralité de pièces (28). Ces pièces sont placées dans une enceinte (12) comprenant un système (212) de chauffage à commandes multiples et des systèmes de commande (308, 306). Le gaz (250) est acheminé via un tube et un panneau (248) de commande permettant le réglage du débit.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)