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1. (WO2000012262) TAMPON POLISSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/012262    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004584
Date de publication : 09.03.2000 Date de dépôt international : 25.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.03.2000    
CIB :
B24B 37/20 (2012.01), B24B 37/24 (2012.01), B24D 13/14 (2006.01), B24D 3/28 (2006.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 2-1, Nihonbashi Muromachi 2-chome Chuo-ku Tokyo 103-8666 (JP) (Tous Sauf US).
SHIRO, Kuniyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASHISAKA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIRO, Kuniyasu; (JP).
HASHISAKA, Kazuhiko; (JP).
OKA, Tetsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
10/242899 28.08.1998 JP
Titre (EN) POLISHING PAD
(FR) TAMPON POLISSEUR
Abrégé : front page image
(EN)A polishing pad, characterized by having a micro-rubber. A hardness number of 80 or larger, closed cells with an average cell diameter of not larger than 1000 $g(m)m and a density ranging from 0.4 to 1.1 and containing a polymer polymerized from polyurethane and a vinyl compound, the polishing pad having a high finishing rate, being small in global step difference and not likely to cause metal wire dishing, loading and permanent set in fatigue at a front layer portion and providing a stable finishing rate when a localized unevenness on a semiconductor substrate is to be flattened.
(FR)La présente invention concerne un tampon polisseur caractérisé en ce qu'il comporte une microgomme. Son indice de dureté est d'au moins 80. Il comporte des cellules fermé d'un diamètre moyen n'excédant pas 1000 $g(m)m pour une densité comprise entre 0,4 et 1,1. Il contient un polymère résultant de la polymérisation d'un polyurétane avec un composé vinylique. Ce tampon polisseur qui présente un niveau de fini très élevé, présente peu de différences d'ensemble entre paliers. Il est peu susceptible de provoquer sur les fils métalliques des cintrages, des charges ainsi que des ensembles permanents d'usure dans une partie de la couche antérieure. Il permet d'atteindre un niveau stable de finition lorsqu'il faut aplatir une inégalité localisée sur un substrat de semi-conducteur.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)