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1. (WO2000011719) PUCE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC REVETEMENT DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/011719    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/006077
Date de publication : 02.03.2000 Date de dépôt international : 18.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.02.2000    
CIB :
H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE) (Tous Sauf US).
SMOLA, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BRÜCKLMEIER, Eric-Roger [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SMOLA, Michael; (DE).
BRÜCKLMEIER, Eric-Roger; (DE)
Mandataire : EPPING-HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, D-80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
98115550.0 18.08.1998 EP
Titre (DE) HALBLEITERCHIP MIT OBERFLÄCHENABDECKUNG
(EN) SEMICONDUCTOR CHIP WITH SURFACE COATING
(FR) PUCE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC REVETEMENT DE SURFACE
Abrégé : front page image
(DE)Halbleiterchip mit in zumindest einer Schicht eines Halbleitersubstrats realisierten, in zumindest einer Gruppe angeordneten Schaltungen und mit zumindest einer leitenden, über zumindest einer solchen Schaltungsgruppe angeordneten und mit zumindest einer der Schaltungen (1, 2) elektrisch verbundenen Schutzschicht (SL), wobei das Substrat zumindest einen Schutzsensor (SS) aufweist und der Schutzsensor/die Schutzsensoren (SS) mit seinem/ihren Detektionsanschlüssen mit der leitenden Schutzschicht (SL) oder zumindest einer der leitenden Schutzschichten verbunden ist/sind und Ausgangsanschlüsse des Schutzsensors/der Schutzsensoren mit zumindest einer der Schaltungen (2) derart verbunden sind, daß eine bestimmungsgemäße Funktion der Schaltung(en) nicht möglich ist, wenn am Ausgang des/der Schutzsensor(en) ein definierter, nicht-flüchtiger Pegel anliegt.
(EN)The invention relates to a semiconductor chip, comprising circuits which are embodied in at least one layer of a semiconductor substrate and arranged in a group, as well as at least one conductive protective layer (SL) which is positioned above at least one such group of circuits and electrically connected to at least one of said circuits (1, 2). The substrate comprises at least one protective sensor (SS) and said protective sensor(s) (SS) are connected to the conductive protective layer (SL) or at least one of the conductive protective layers via their detection terminals. Output terminals of the protective sensor(s) are connected to at least one of the circuits (2) in such a way that the circuit(s) are unable to function properly if a defined, non-volatile level is applied to the output of the protective sensor(s).
(FR)L'invention concerne une plaquette à semi-conducteur, qui comprend des circuits, formés dans au moins une couche de substrat à semi-conducteur et disposés de façon à former au moins un groupe de circuits; et au moins une couche de protection conductrice (SL), disposée au-dessus d'au moins un groupe de circuits (1, 2) et électriquement connectée avec lui. Le substrat comporte au moins un détecteur de protection (SS), qui est connecté par des bornes de détection à la couche de protection conductrice ou au moins à une des couches de protection conductrices (SL). Les bornes de sortie des détecteurs sont connectées à l'un des circuits (2) de façon à empêcher le fonctionnement normal dudit circuit quand un niveau défini non transitoire est appliqué à la sortie des détecteurs.
États désignés : BR, CN, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)