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1. (WO2000011712) PROCEDE ET STRUCTURE D'AMELIORATION DE LA TOLERANCE D'ALIGNEMENT DANS LES CONNECTEURS MULTIPLES ET SIMPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/011712    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/019567
Date de publication : 02.03.2000 Date de dépôt international : 25.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.03.2000    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
FIGURA, Thomas, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FIGURA, Thomas, A.; (US)
Mandataire : VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
09/140,810 25.08.1998 US
09/255,962 23.02.1999 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVED ALIGNMENT TOLERANCE IN MULTIPLE, SINGULARIZED PLUGS
(FR) PROCEDE ET STRUCTURE D'AMELIORATION DE LA TOLERANCE D'ALIGNEMENT DANS LES CONNECTEURS MULTIPLES ET SIMPLES
Abrégé : front page image
(EN)An improved method and structure which increases the alignment tolerances in multiple, singularized plugs are provided. The invention discloses a novel method for forming individual plug contacts with increased surface area for improved registration between semiconducting layers. Also the improved plug contacts are particularly well suited to receiving contact formations which have any taper to them. IGFETS and other devices formed from this design can be used in a variety of beneficial applications, e.g. logic or memory.
(FR)L'invention concerne un procédé et une structure améliorés qui augmentent la tolérance d'alignement dans les connecteurs multiples et simples. Ladite invention a trait à un nouveau procédé servant à créer des contacts de connecteurs individuels pourvus d'une zone superficielle plus grande pour améliorer l'alignement entre les couches semi-conductrices. Les contacts des connecteurs améliorés conviennent tout particulièrement à la réception d'éléments de contacts qui sont effilés vers eux. Les transistors à effet de champ à grille isolée et les autres dispositifs conçus sur ce modèle peuvent être utilisés dans une variété d'applications, par exemple de logique ou de mémoire.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)