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1. (WO2000011711) DISPOSITIF COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS DES REGIONS MUTUELLEMENT ISOLEES D'UNE COUCHE DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/011711    N° de la demande internationale :    PCT/FR1999/002032
Date de publication : 02.03.2000 Date de dépôt international : 24.08.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.02.2000    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75752 Paris (FR) (Tous Sauf US).
GIFFARD, Benoît [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GIDON, Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GIFFARD, Benoît; (FR).
GIDON, Pierre; (FR)
Mandataire : DES TERMES, Monique; Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
98/10686 25.08.1998 FR
Titre (EN) DEVICE COMPRISING ELECTRONIC COMPONENTS IN MUTUALLY INSULATED REGIONS OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL LAYER AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) DISPOSITIF COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS DES REGIONS MUTUELLEMENT ISOLEES D'UNE COUCHE DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for making a device comprising electronic components (20a, 20b) in regions (32a, 32b) of a semiconductor material layer (12), said regions being mutually insulated. The method is characterised in that it comprises the following steps: a) forming electronic components (30) of the regions of a semiconductor material layer (12) formed by an electrically insulating layer (14); b) forming trenches passing right through the semiconductor material layer (12) so as to separate the regions (32a, 32b); c) filling up the trenches (30) with a fluid filling material; and d) hardening said filling material. The invention is useful for making integrated circuits comprising power components.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants électroniques (20a, 20b) dans des régions (32a, 32b) d'une couche de matériau semi-conducteur (12), ces régions étant mutuellement isolées. Le procédé comporte les étapes suivantes: a) formation de composants électroniques (30) des régions d'une couche de matériau semi-conducteur (12) formée par une couche isolante électrique (14); b) formation de tranchées traversant la couche de matériau semi-conducteur (12) de part en part afin de séparer les régions (32a, 32b); c) remplissage des tranchées (30) avec un matériau de remplissage, fluide; et d) durcissement dudit matériau de remplissage. Application à la fabrication de circuits intégrés comportant des composants de puissance.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)