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1. (WO1999054923) BARRIERE DE DIFFUSION DE NITRURE DE TITANE UTILE DANS DES TECHNOLOGIES SANS SILICIUM ET PROCEDE DE METALLISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/054923    N° de la demande internationale :    PCT/EP1999/002665
Date de publication : 28.10.1999 Date de dépôt international : 20.04.1999
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01)
Déposants : UNIPHASE LASER ENTERPRISE AG [CH/CH]; Binzstrasse 17 CH-8045 Zurich (CH)
Inventeurs : DAETWYLER, Andreas; (CH).
DEUTSCH, Urs; (CH).
HARDER, Christoph; (CH).
HEUBERGER, Wilhelm; (CH).
LATTA, Eberhard; (CH).
JAKUBOWICZ, Abram; (CH).
OOSENBRUG, Albertus; (CH).
PATRICK, William; (CH).
ROENTGEN, Peter; (CH).
WILLIAMS, Erica; (CH)
Mandataire : DIEHL, Hermann, O., Th.; Augustenstrasse 46 D-80333 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
09/063,173 20.04.1998 US
Titre (EN) A TITANIUM NITRIDE DIFFUSION BARRIER FOR USE IN NON-SILICON TECHNOLOGIES AND METALLIZATION METHOD
(FR) BARRIERE DE DIFFUSION DE NITRURE DE TITANE UTILE DANS DES TECHNOLOGIES SANS SILICIUM ET PROCEDE DE METALLISATION
Abrégé : front page image
(EN)As will be described in more detail hereinafter, there is disclosed herein a titanium nitride diffusion barrier layer and associated method for use in non-silicon semiconductor technologies. In one aspect of the invention, a semiconductor device includes a non-silicon active surface. The improvement comprises an ohmic contact serving to form an external electrical connection to the non-silicon active surface in which the ohmic contact includes at least one layer consisting essentially of titanium nitride. In another aspect of the invention, a semiconductor ridge waveguide laser is disclosed which includes a semiconductor substrate and an active layer disposed on the substrate. A cladding layer is supported partially on the substrate and partially on the active layer. The cladding layer includes a ridge portion disposed in a confronting relationship with the active region. A metallization structure substantially covers the ridge portion and includes at least one layer consisting essentially of titanium nitride.
(FR)L'invention concerne une couche barrière de diffusion de nitrure de titane et un procédé associé s'utilisant dans des technologies sans silicium. Dans un aspect de l'invention, un dispositif de semi-conducteur comporte une surface active sans silicium. Le perfectionnement consiste en un contact ohmique servant à former une connexion électrique externe avec la surface active sans silicium, le contact ohmique comportant au moins une couche constituée essentiellement de nitrure de titane. Dans un autre aspect de l'invention, un laser à semi-conducteur à guide d'onde à moulure comporte un substrat de semi-conducteur et une couche active placée sur le substrat. Une couche de gainage repose partiellement sur le substrat et partiellement sur la couche active. La couche de gainage comporte une partie de moulure placée selon une relation d'opposition par rapport à la région active. Une structure de métallisation recouvre sensiblement la partie de moulure, et comporte au moins une couche constituée essentiellement de nitrure de titane.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)