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1. (WO1999054918) FABRICATION DE COMPOSANTS A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE TRANCHEE ET UNE GRILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/054918    N° de la demande internationale :    PCT/IB1999/000537
Date de publication : 28.10.1999 Date de dépôt international : 29.03.1999
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/082 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : LUO, Jikui; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
9808234.0 17.04.1998 GB
Titre (EN) MANUFACTURE OF TRENCH-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) FABRICATION DE COMPOSANTS A SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UNE TRANCHEE ET UNE GRILLE
Abrégé : front page image
(EN)The manufacture of a trench-gate semiconductor device, for example a MOSFET or IGBT, includes the steps of forming at a surface (10a) of a semiconductor body (10) a first mask (51) having a first window (51a), and later forming a second mask (52) having a smaller window (52a) by providing sidewall extensions (52b) on the first mask (51). A source region (13) is formed by dopant (63) introduced via the first window (51a), whereas a trench (20) is etched at the smaller window (52a) to extend through a body region (15) and into an underlying portion of a drain region (14). The gate (11) is provided in the trench (20) adjacent to where the channel (12) of the device is accommodated. After removing the second mask (52), a source electrode (23) is provided to contact the source region (13) and an adjacent region (15) of the body (10) at the surface (10a). This method permits the use of self-aligned masking techniques while providing good reproduceability in the doping of the source region (13) and adjacent region (15) and in the contact area of the source electrode (23) with both the source region (13) and the adjacent region (15).
(FR)La fabrication d'un composant à semiconducteur comportant une tranchée et une grille, par exemple un transistor MOSFET ou IGBT, consiste à créer au niveau d'une surface (10a) d'un élément semiconducteur (10) un premier masque (51) possédant une première fenêtre (51a) et, ensuite, à créer un deuxième masque (52) possédant une fenêtre plus petite (52a) au moyen de prolongations latérales (52b) pratiquées sur le premier masque (51). On crée une zone de source (13) au moyen d'un dopant (63) introduit par l'intermédiaire de la première fenêtre (51a), tandis qu'on grave une tranchée (20) au niveau de la fenêtre plus petite (52a) afin qu'elle s'étende à travers une zone (15) du semiconducteur et pénètre dans une partie sous-jacente d'une zone de drain (14). La grille (11) est située dans la tranchée (20) en position contiguë au canal (12) du composant. Après avoir enlevé le deuxième masque (52), on met en application une électrode de source (23) afin d'établir un contact avec la zone de source (13) et une zone contiguë (15) du semiconducteur (10) au niveau de la surface (10a). Ce procédé permet de mettre en oeuvre des techniques de masquage à alignement automatique, tout en assurant une reproductibilité adéquate du dopage de la zone de source (13) et de la zone contiguë (15), ainsi que de la zone de contact de l'électrode de source (23) avec à la fois la zone de source (13) et la zone contiguë (15).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)