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1. (WO1999053542) PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHES CONTENANT DE L'ALUMINIUM SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1999/053542 N° de la demande internationale : PCT/US1999/007815
Date de publication : 21.10.1999 Date de dépôt international : 09.04.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 08.11.1999
CIB :
C23C 14/02 (2006.01) ,C23C 14/18 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs : SUNDARRAJAN, Arvind; US
SAIGAL, Dinesh; US
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 17th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité :
09/059,85214.04.1998US
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYERED ALUMINUM-COMPRISING STRUCTURE ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHES CONTENANT DE L'ALUMINIUM SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN) The present disclosure pertains to our discovery that a specialized set of process variables will enable the performance of second layer aluminum metallization of multi-layered semiconductor structures within a single processing chamber, without the need for deposition of a nucleation layer of aluminum, and without the need for a reflow step to fill voids formed during metallization. In general, the improved method of the invention includes the following steps: (a) sputter etching the patterned dielectric surface (15); (b) depositing at least one continuous wetting layer of titanium (16) over the patterned dielectric surface (15) using ion sputter deposition, the wetting layer having a thickness within the range of about 25 Å to about 200 Å on the sidewall of a contact via formed in the substrate; and (c) depositing a layer of aluminum (18) over the titanium wetting layer (16) using traditional sputter deposition at a substrate temperature within the range of about 380 °C to about 500 °C. The substrate temperature is held substantially constant during deposition of the aluminum layer (18). The deposition rate of the aluminum layer (18) is increased as the deposition progresses, preferably by increasing the target power as the deposition progresses. The method of the invention is particularly useful for second layer metallization of contact vias having aspect ratios up to about 4:1.
(FR) La présente invention concerne un ensemble spécialisé de variables de traitement permettant d'effectuer une seconde couche de métallisation en aluminium de structures semi-conductrices multicouches dans une seule chambre de traitement sans avoir à déposer une couche de nucléation d'aluminium et sans avoir à effectuer l'étape de fusion momentanée consistant à remplir les vides formés au cours de la métallisation. En général, ce procédé amélioré consiste a) à attaquer par pulvérisation cathodique la surface diélectrique (15) modelée, b) à déposer au moins une couche de mouillage continue de titane (16) sur la surface diélectrique modelée (15) au moyen du dépôt ionique par pulvérisation, la couche de mouillage présentant une épaisseur comprise entre 25 Å et environ 200 Å sur la paroi latérale d'un trou d'interconnexion formé dans le substrat, et c) à déposer une couche d'aluminium (18) sur la couche de mouillage (16) de titane au moyen du dépôt habituel par pulvérisation ionique à une température de substrat allant d'environ 380 °C à environ 500 °C. La température du substrat est maintenue sensiblement constante pendant le dépôt de la couche d'aluminium (18). La vitesse de dépôt de la couche d'aluminium (18) augmente à mesure que le dépôt a lieu, de préférence à l'aide de l'augmentation de la puissance cible. Le procédé est particulièrement utile pour une métallisation de seconde couche de trous d'interconnexion présentant des rapports d'aspect allant jusqu'à environ 4 :1.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)