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1. (WO1999053532) PATE SERVANT A EFFECTUER LE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE DE SURFACES METALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1999/053532 N° de la demande internationale : PCT/US1999/007482
Date de publication : 21.10.1999 Date de dépôt international : 05.04.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.10.1999
CIB :
C09G 1/02 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01) ,H01L 21/321 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
Déposants : FERRO CORPORATION[US/US]; 1000 Lakeside Avenue Cleveland, OH 44114, US
Inventeurs : PRENDERGAST, John, E.; US
HER, Yieshein; US
BABU, Suryadevara, V.; US
LI, Yuzhuo; US
HARIHARAPUTHIRAN, Mariappan; US
Mandataire : CLARK, Kenneth, A.; Rankin, Hill, Porter & Clark LLP Suite 700 925 Euclid Avenue Cleveland, OH 44115-1405, US
Données relatives à la priorité :
09/058,61810.04.1998US
09/277,45426.03.1999US
Titre (EN) SLURRY FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING METAL SURFACES
(FR) PATE SERVANT A EFFECTUER LE POLISSAGE CHIMIOMECANIQUE DE SURFACES METALLIQUES
Abrégé :
(EN) The present invention provides a slurry for chemical-mechanical polishing metal surfaces which significantly increases the removal rate and is capable of polishing metals which are inert to most common oxidizing agents. The slurry is particularly useful for polishing metal layers on semiconductor wafer substrates. The slurry includes water, abrasive particles, and an oxidizing solution. In one preferred embodiment, the oxidizing solution comprises one or more water soluble peroxides, one or more amino acids, and one or more metals and/or compounds containing metals selected from the group consisting of chromium, cobalt, copper, iron, lead, nickel, palladium, rhodium, samarium, and scandium, with copper being preferred. In another preferred embodiment, the oxidizing solution comprises one or more water soluble peroxides, one or more organic amines, and optionally one or more metals and/or compounds containing metals.
(FR) L'invention concerne une pâte servant à effectuer le polissage chimiomécanique de surfaces métalliques, ce qui augmente considérablement le taux d'élimination et permet de polir des métaux inertes à la plupart des agents d'oxydation classiques. Cette pâte est particulièrement utile pour polir des couches de métal sur des substrats de tranches à semi-conducteur. Cette pâte contient de l'eau, des particules abrasives et une solution oxydante. Dans un mode de réalisation préféré, cette solution oxydante comprend un ou plusieurs peroxydes solubles dans l'eau, un ou plusieurs acides aminés et un ou plusieurs métaux et/ou composés contenant des métaux sélectionnés dans le groupe constitué par chrome, cobalt, cuivre, fer, plomb, nickel, palladium, rhodium, samarium et scandium, le cuivre étant préféré. Dans un autre mode de réalisation préféré, la solution oxydante est composée d'un ou de plusieurs peroxydes solubles dans l'eau, d'une ou de plusieurs amines organiques et, éventuellement, d'un ou de plusieurs métaux et/ou composés contenant des métaux.
États désignés : CA, JP, KR, MX
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)