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1. (WO1999053531) NETTOYAGE PAR SOLUTION DE FLUORURE D'HYDROGENE APRES APLANISSEMENT CHIMIOMECANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1999/053531 N° de la demande internationale : PCT/US1999/002483
Date de publication : 21.10.1999 Date de dépôt international : 08.02.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 09.11.1999
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SPEEDFAM-IPEC CORPORATION[US/US]; 305 North 54th Street Chandler, AZ 85226-2405, US
Inventeurs : GUPTA, Anand; US
KARLSRUD, Chris; US
GOPALAN, Periya; US
TROJAN, Daniel, R.; US
CUNNANE, Jeffrey, B.; US
MACERNIE, Jon, R.; US
Mandataire : YIM, Peter, J. ; Snell & Wilmer One Arizona Center 400 East Van Buren Street Phoenix, AZ 85004-2202, US
Données relatives à la priorité :
09/058,64710.04.1998US
Titre (EN) POST-CMP WET-HF CLEANING STATION
(FR) NETTOYAGE PAR SOLUTION DE FLUORURE D'HYDROGENE APRES APLANISSEMENT CHIMIOMECANIQUE
Abrégé : front page image
(EN) The present invention provides an apparatus for cleaning semiconductor workpieces following a Chemical Mechanical Planarization ('CMP') procedure. Initially, a workpiece is scrubbed to remove some of the slurry material and other contaminants on the surfaces of the workpiece. Next, the workpiece is transported into a chemical-etch cleaning station wherein the workpiece is positioned horizontally such that both the upper and lower surfaces are substantially exposed. The workpiece then is immersed in a cleaning solution which is moved around the various surfaces of the workpiece. The workpiece is immersed in the cleaning solution for a sufficient length of time to remove an appropriate layer of oxide, thereby removing contaminants and smoothing micro scrathes from the surfaces of the workpiece.
(FR) La présente invention concerne un appareil de nettoyage pour pièces de semi-conducteurs qui est utilisé après application d'un procédé de polissage chimiomécanique. La pièce est tout d'abord soumise à un grattage qui fait disparaître de sa surface la pâte fluide et autres substances contaminantes. La pièce est ensuite placé dans un bac de nettoyage par décapage chimique dans lequel elle est positionnée horizontalement pour que ses surfaces supérieure et inférieure soient largement exposées. La pièce est ensuite immergée et dans une solution de nettoyage qui est brassée tout autour de ladite pièce, ceci pendant suffisamment longtemps pour retirer une couche suffisante d'oxydation et, par là, faire disparaître des substances contaminantes ainsi que de minuscules rayures superficielles.
États désignés : DE, GB, JP, KR, SG
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)