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1. (WO1999053380) EXPLORATION D'UN CHAMP D'IMAGE NON CIRCULAIRE FORME PAR UNE LENTILLE ASYMETRIQUE DE SYSTEME DE REDUCTION PHOTOLITHOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/053380    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/005195
Date de publication : 21.10.1999 Date de dépôt international : 10.03.1999
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : TROPEL CORPORATION [US/US]; 60 O'Connor Road Fairport, NY 14450 (US) (Tous Sauf US).
BRUNING, John, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRUNING, John, H.; (US)
Mandataire : STEPHENS, Eugene, S.; Eugene Stephens & Associates 56 Windsor Street Rochester, NY 14605 (US)
Données relatives à la priorité :
09/057,904 09.04.1998 US
Titre (EN) SCANNING OF NON-CIRCULAR IMAGE FIELD FORMED BY ASYMMETRIC LENS OF PHOTOLITHOGRAPHIC REDUCTION SYSTEM
(FR) EXPLORATION D'UN CHAMP D'IMAGE NON CIRCULAIRE FORME PAR UNE LENTILLE ASYMETRIQUE DE SYSTEME DE REDUCTION PHOTOLITHOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A reduction photolithographic system (10) uses an asymmetric reduction lens (11) forming a non-circular image field at a plane of a substrate (13) to be imaged from a reticle (12). An illuminating system (15) shapes the image field to a configuration for scanning a microcircuit pattern of the reticle onto the substrate in an integer number of substantially equal scans. The image field (20) is configured to provide a single exposure region (20a, 20b, 20c) that is variable in a width transverse to the scan direction and a pair of overlappable double exposure regions (23, 24, 26, 27) at opposite ends of the single exposure region. Integrated illumination intensity along any line parallel with the scan direction in the overlapped double exposure regions equals the integrated illumination intensity along any scan line in the single exposure region.
(FR)L'invention concerne un système de réduction photolithographique (10) utilisant une lentille de réduction asymétrique (11) qui forme un champ d'image non circulaire en un plan de substrat (13) dont l'imagerie doit être effectuée depuis un réticule (12). Un système d'illumination (15) donne au champ d'image une configuration propice à l'imagerie d'un motif de microcircuit du réticule sur le substrat selon un nombre entier d'explorations sensiblement égales. On donne au champ de l'image (20) une configuration qui offre une zone à exposition unique (20a, 20b, 20c), variable sur une largeur transversale par rapport au sens d'exploration, et une paire de zones superposables à double exposition (23, 24, 26, 27) aux extrémités opposées de la zone à exposition unique. L'intensité d'illumination intégrée le long d'une ligne quelconque parallèle au sens d'exploration dans les zones à double exposition superposées est égale à l'intensité d'illumination intégrée le long d'une ligne d'exploration quelconque dans la zone à exposition unique.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)