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1. (WO1999052212) PROCEDE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE LA COMMUTATION DE TRANSISTOR DE PUISSANCE A GRILLE ISOLEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1999/052212 N° de la demande internationale : PCT/FR1999/000795
Date de publication : 14.10.1999 Date de dépôt international : 06.04.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 29.09.1999
CIB :
H03K 4/00 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
4
Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
Déposants : BAUSIERE, Robert[FR/FR]; FR (UsOnly)
FRANCHAUD, Jean-Jacques[FR/FR]; FR (UsOnly)
IDIR, Nadir[DZ/FR]; FR (UsOnly)
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)[FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75016 Paris, FR (AllExceptUS)
Inventeurs : BAUSIERE, Robert; FR
FRANCHAUD, Jean-Jacques; FR
IDIR, Nadir; FR
Mandataire : MONCHENY, Michel; Cabinet Lavoix 2, place d'Estienne d'Orves F-75441 Paris Cedex 09, FR
Données relatives à la priorité :
98/0425106.04.1998FR
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING AN INSULATED GRID POWER TRANSISTOR SWITCHING
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE LA COMMUTATION DE TRANSISTOR DE PUISSANCE A GRILLE ISOLEE
Abrégé :
(EN) The invention concerns a method for controlling power transistor switching by applying a control signal on the grid or each grid of the transistor, the control signal (VGS) comprises a voltage stage (I) with a value intermediate between a first voltage level adapted for positioning the transistor in a first switching state and a second voltage level for positioning the latter in a second switching state.
(FR) Dans ce procédé de commande de la commutation de transistors de puissance par application d'un signal de commande sur la grille du ou de chaque transistor, le signal de commande (VGS) comporte un palier (I) de tension ayant une valeur intermédiaire entre un premier niveau de tension adapté pour positionner le transistor dans un premier état de commutation et un deuxième niveau de tension adapté pour positionner ce dernier dans un deuxième état de commutation.
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États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)