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1. (WO1999052155) STRUCTURE A SEMICONDUCTEURS DE COMPOSANT PHOTOVOLTAIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/052155    N° de la demande internationale :    PCT/FR1999/000565
Date de publication : 14.10.1999 Date de dépôt international : 15.03.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.10.1999    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 25/04 (2006.01), H01L 31/068 (2006.01)
Déposants : PICOGIGA, SOCIETE ANONYME [FR/FR]; Parc de Villejust Place Marcel Rebuffat F-91971 Courtaboeuf 7 Cedex (FR) (Tous Sauf US).
NUYEN, Linh, T. [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CHATELANAZ, Jean-Marc [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NUYEN, Linh, T.; (FR).
CHATELANAZ, Jean-Marc; (FR)
Mandataire : DUPUIS-LATOUR, Dominique; Cabinet Bardehle, Pagenberg & Partner 14, boulevard Malesherbes F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
98/04192 03.04.1998 FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING PHOTOVOLTAIC COMPONENT
(FR) STRUCTURE A SEMICONDUCTEURS DE COMPOSANT PHOTOVOLTAIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a structure comprising a massive substrate (10), in particular silicon, and a thin layer substrate (16) in semiconductor material, in particular a binary, ternary or quaternary III-V, IV-IV or II-VI material, mounted by an implantation process on said massive substrate surface, at least a photovoltaic cell (22), mounted by epitaxial deposit on the thin layer substrate and, on either side of the structure, contact outlets (24, 26) to the massive substrate and to the epitaxial cell. Advantageously, the massive substrate is made of silicon and incorporates another photovoltaic cell (28). The thin layer substrate material is selected from the group consisting of GaAs, InP, GaInP, ALGaAs, SiC, SiGe and II-VI alloys.
(FR)Cette structure comprend un substrat massif (10), notamment en silicium, et un substrat en couche mince (16) en matériau semiconducteur, notamment un matériau III-V, IV-IV ou II-VI binaire, ternaire ou quaternaire, reporté par un procédé d'implantation ionique en surface de ce substrat massif, au moins une cellule photovoltaïque (22), épitaxiée sur le substrat en couche mince et, de part et d'autre de la structure, des prises de contact (24, 26) au substrat massif et à la cellule épitaxiée. Avantageusement, le substrat massif est en silicium et incorpore une autre cellule photovoltaïque (28). Le matériau du substrat en couche mince est choisi dans le groupe comprenant GaAs, InP, GaInP, AlGaAs, SiC, SiGe et les alliages II-VI.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)