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1. (WO1999052150) STRUCTURE DE GARDE POUR DISPOSITIF BIPOLAIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/052150    N° de la demande internationale :    PCT/GB1999/000856
Date de publication : 14.10.1999 Date de dépôt international : 01.04.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.11.1999    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : ZETEX PLC [GB/GB]; Fields New Road Chadderton Oldham OL9 8NP (GB) (Tous Sauf US).
CASEY, David [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CASEY, David; (GB)
Mandataire : ALLMAN, Peter, John; Marks & Clerk Sussex House 83-85 Mosley Street Manchester M2 3LG (GB).
HOLMES, Matthew, Peter; Marks & Clerk Sussex House 83-85 Mosley Street Manchester M2 3LG (GB)
Données relatives à la priorité :
9807115.2 03.04.1998 GB
9813508.0 24.06.1998 GB
Titre (EN) GUARD STRUCTURE FOR BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE DE GARDE POUR DISPOSITIF BIPOLAIRE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A guard ring structure formed around the periphery of a bipolar semiconductor device. A guard region (11) is formed in a substrate (1) of the device so as to extend adjacent a peripheral portion of the device. An insulating layer (3) is formed on the substrate between the peripheral portion of the device and the guard region (11). A polysilicon layer (13) is formed on the insulating layer (3) and covered with a layer of densified dielectric (14). Electrical interconnections are provided between the polysilicon layer (13) and the guard region (11) at spaced apart portions of the device where the guard structure does not need to be protected by the densified dielectric.
(FR)Selon cette invention, une structure de type anneau de garde est formée sur la périphérie d'un dispositif bipolaire à semi-conducteurs. Une région (11) de protection est formée sur un substrat (1) du dispositif de manière à s'étendre à côté d'une partie périphérique de ce dispositif. Une couche (3) isolante est formée sur le substrat entre la partie périphérique du dispositif et la région (11) de protection. Une couche (13) de polysilicium est formée sur la couche (3) isolante et recouverte d'une couche de diélectrique (14) densifié. Des interconnexions électriques sont ménagées entre la couche (13) de polysilicium et la région (11) de protection au niveau de parties espacées du dispositif, là où la structure de type anneau garde n'a pas besoin d'être protégée par le diélectrique densifié.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)